中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
缩写词 Abbreviations | 第8-17页 |
第一章 文献综述 | 第17-41页 |
1.1 植物对Cd胁迫的响应机制 | 第17-25页 |
1.1.1 土壤中Cd的状态及危害 | 第17页 |
1.1.2 植物中Cd的吸收/转运和毒性 | 第17-19页 |
1.1.3 植物生长调节物质与植物Cd耐受性 | 第19-25页 |
1.2 植物对A1胁迫的响应机制 | 第25-28页 |
1.2.1 Al胁迫对植物的毒害作用及机理 | 第25-26页 |
1.2.2 植物Al耐受性及其抗性机制 | 第26-28页 |
1.3 植物Ca信使系统及其在环境胁迫中的作用 | 第28-31页 |
1.3.1 细胞内Ca~(2+)水平变化对生物胁迫和非生物胁迫信号的响应 | 第28-29页 |
1.3.2 胞内Ca~(2+)改变对基因表达的影响 | 第29-30页 |
1.3.3 Ca信使在植物氧化代谢中的调控作用 | 第30页 |
1.3.4 重金属毒害与Ca信号 | 第30-31页 |
1.4 ROS和生长素在响应重金属胁迫中的作用 | 第31-33页 |
1.4.1 ROS信号在重金属胁迫中的响应 | 第31-32页 |
1.4.2 生长素信号对重金属胁迫的响应 | 第32页 |
1.4.3 ROS信号和生长素信号在重金属胁迫中的相互作用 | 第32-33页 |
1.5 多胺在植物重金属胁迫响应中的作用 | 第33-37页 |
1.5.1 多胺的种类、状态和分布 | 第33页 |
1.5.2 PAs的合成与代谢 | 第33-34页 |
1.5.3 PAs在重金属胁迫中的双重作用 | 第34-35页 |
1.5.4 PAs提高植物抵抗逆境胁迫能力的作用机理 | 第35-37页 |
1.6 硅对植物重金属胁迫的缓解作用 | 第37-38页 |
1.7 葡萄糖-6-磷酸脱氢酶与重金属胁迫 | 第38-39页 |
1.8 本研究的目的意义 | 第39-41页 |
1.8.1 Ca对Cd胁迫下拟南芥生长的影响 | 第39页 |
1.8.2 外源生长素和细胞分裂素都能促进Cd胁迫下拟南芥地上部分的生长 | 第39页 |
1.8.3 Si缓解Cd胁迫诱导的早熟禾生长抑制的调节机制 | 第39页 |
1.8.4 腐胺对大豆Al耐受性的调节 | 第39-41页 |
第二章 Ca通过维持生长素平衡缓解Cd诱导的拟南芥根生长抑制 | 第41-63页 |
2.1 引言 | 第41-43页 |
2.2 材料与方法 | 第43-48页 |
2.2.1 植物材料和培养条件 | 第43页 |
2.2.2 表型分析 | 第43页 |
2.2.3 鲜重的测定和叶绿素含量的测定 | 第43-44页 |
2.2.4 元素含量的测定 | 第44页 |
2.2.5 H_2O_2含量的测定及化学组织染色 | 第44页 |
2.2.6 丙二醛含量的测定 | 第44页 |
2.2.7 抗氧化酶活性的测定 | 第44-45页 |
2.2.8 GUS染色及GUS活性的定量分析 | 第45页 |
2.2.9 Lugol染色 | 第45页 |
2.2.10 IAA氧化酶活性测定 | 第45-46页 |
2.2.11 实时定量分析 | 第46-47页 |
2.2.12 Confocal显微分析 | 第47页 |
2.2.13 数据处理与图像分析 | 第47-48页 |
2.3 结果 | 第48-60页 |
2.3.1 Cd对拟南芥幼苗生长的影响 | 第48-49页 |
2.3.2 Cd胁迫对拟南芥根中H_2O_2和MDA含量的影响 | 第49-50页 |
2.3.3 Ca~(2+)可缓解Cd胁迫诱导的拟南芥幼苗损伤 | 第50-52页 |
2.3.4 Ca对Cd胁迫下拟南芥根中Cd累积的影响 | 第52页 |
2.3.5 Ca~(2+)可缓解Cd胁迫诱导的氧化胁迫 | 第52-54页 |
2.3.6 Ca~(2+)对Cd胁迫下生长素水平和分布的作用 | 第54-56页 |
2.3.7 Ca~(2+)可恢复Cd诱导的生长素平衡的紊乱 | 第56-60页 |
2.4 讨论 | 第60-62页 |
2.5 本章小结 | 第62-63页 |
第三章 外源生长素和细胞分裂素对Cd胁迫下拟南芥地上部分生长的影响 | 第63-79页 |
3.1 引言 | 第63-64页 |
3.2 材料与方法 | 第64-65页 |
3.2.1 植物材料和培养条件 | 第64页 |
3.2.2 表型分析 | 第64页 |
3.2.3 鲜重的测定和叶绿素含量的测定 | 第64-65页 |
3.2.4 元素含量的测定 | 第65页 |
3.2.5 GUS染色和GUS活性的定量分析 | 第65页 |
3.2.6 Confocal显微分析 | 第65页 |
3.2.7 数据分析及图像处理 | 第65页 |
3.3 结果 | 第65-76页 |
3.3.1 外源生长素或细胞分裂素可促进Cd胁迫下拟南芥地上部分的生长 | 第65-69页 |
3.3.2 NAA/6-BA减少Cd胁迫下拟南芥地上部分Cd的积累 | 第69-70页 |
3.3.3 NAA增加了拟南芥中生长素和细胞分裂素水平 | 第70-71页 |
3.3.4 6-BA增加了拟南芥中生长素和细胞分裂素水平 | 第71-72页 |
3.3.5 NAA/6-BA恢复了Cd胁迫下根中生长素的运输 | 第72-76页 |
3.4 讨论 | 第76-78页 |
3.5 本章小结 | 第78-79页 |
第四章 Si对Cd诱导的早熟禾生长抑制的缓解作用及调节机制研究 | 第79-90页 |
4.1 前言 | 第79-80页 |
4.2 材料与方法 | 第80-82页 |
4.2.1 植物材料和培养条件 | 第80页 |
4.2.2 表型分析 | 第80页 |
4.2.3 叶绿素含量的测定 | 第80页 |
4.2.4 元素含量的测定 | 第80-81页 |
4.2.5 H_2O_2含量的测定 | 第81页 |
4.2.6 MDA含量测定 | 第81页 |
4.2.7 抗氧化酶活性的测定 | 第81页 |
4.2.8 G6PDH活性的测定 | 第81页 |
4.2.9 Western-blot分析 | 第81页 |
4.2.10 数据处理及图像分析 | 第81-82页 |
4.3 结果 | 第82-87页 |
4.3.1 Cd对早熟禾幼苗生长的抑制作用 | 第82-83页 |
4.3.2 Si对Cd胁迫下早熟禾幼苗生长的缓解作用 | 第83-85页 |
4.3.3 G6PDH参与Si对Cd诱导的早熟禾生长抑制的缓解 | 第85-87页 |
4.4 讨论 | 第87-89页 |
4.4.1 Si减少Cd吸收和改变Cd在早熟禾叶片和根中的分布 | 第87-88页 |
4.4.2 Si减少Cd诱导的氧化胁迫 | 第88页 |
4.4.3 Si通过增加G6PDH活性和G6PDH蛋白的表达缓解Cd毒性 | 第88-89页 |
4.5 本章小结 | 第89-90页 |
第五章 腐胺在大豆根中Al毒性的调节作用 | 第90-114页 |
5.1 引言 | 第90-92页 |
5.2 材料与方法 | 第92-95页 |
5.2.1 植物材料培养和处理方法 | 第92页 |
5.2.2 初生根长和表皮细胞长度的测定 | 第92页 |
5.2.3 Al吸收的测定和组织化学染色 | 第92页 |
5.2.4 Al含量测定 | 第92-93页 |
5.2.5 内源PAs含量测定 | 第93页 |
5.2.6 Put合成酶和代谢酶活性分析 | 第93-94页 |
5.2.7 H_2O_2含量测定 | 第94页 |
5.2.8 MDA含量测定 | 第94页 |
5.2.9 质膜完整性的测定 | 第94页 |
5.2.10 细胞壁提取和细胞壁多糖含量的测定 | 第94页 |
5.2.11 果胶甲酯化酶活性分析 | 第94页 |
5.2.12 果胶甲酯化程度分析 | 第94-95页 |
5.2.13 抗氧化酶活性分析 | 第95页 |
5.2.14 GSH合量测定 | 第95页 |
5.2.15 Asc含量测定 | 第95页 |
5.2.16 木质素含量的测定 | 第95页 |
5.2.17 数据统计及图片处理方法 | 第95页 |
5.3 结果与分析 | 第95-110页 |
5.3.1 Al胁迫对大豆根系生长的影响 | 第95-97页 |
5.3.2 Al胁迫下内源腐胺积累以及外源Put对大豆根生长的抑制 | 第97-99页 |
5.3.3 Al对大豆根中Put合成和代谢酶活性的影响 | 第99-101页 |
5.3.4 Put或Al诱导的根生长抑制和根尖Al积累 | 第101-103页 |
5.3.5 Put在Al诱导的氧化胁迫中的作用 | 第103-105页 |
5.3.6 Put对Al胁迫下大豆根中木质素含量的影响 | 第105-106页 |
5.3.7 Put对Al诱导的大豆根细胞壁中果胶和半纤维素含量的影响 | 第106-107页 |
5.3.8 Put对果胶甲酯酶活性以及果胶甲基化程度的影响 | 第107-108页 |
5.3.9 Put对Al胁迫下大豆根中抗氧化酶的影响 | 第108-109页 |
5.3.10 Al胁迫下Asc-GSH循环的改变 | 第109-110页 |
5.4 讨论 | 第110-113页 |
5.5 本章小结 | 第113-114页 |
第六章 结论与展望 | 第114-115页 |
参考文献 | 第115-150页 |
在学期间研究成果 | 第150-151页 |
发表论文 | 第150页 |
参与课题 | 第150-151页 |
致谢 | 第151-153页 |
附录 | 第153页 |