摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第11-13页 |
1.2.1 国内外研究现状 | 第11-12页 |
1.2.2 发展趋势 | 第12-13页 |
1.3 研究的意义及主要内容 | 第13-15页 |
1.3.1 研究的意义 | 第13页 |
1.3.2 主要内容 | 第13-15页 |
第二章 磁偏转电子束蒸发源的总体研究方案 | 第15-22页 |
2.1 磁偏转电子束蒸发源 | 第15页 |
2.2 磁偏转电子束蒸发源的工作原理 | 第15-18页 |
2.3 磁偏转电子束蒸发源的相关参数 | 第18-19页 |
2.4 磁偏转电子束蒸发源的设计方案 | 第19-21页 |
本章小结 | 第21-22页 |
第三章 磁偏转电子束蒸发源的模拟设计 | 第22-44页 |
3.1 磁偏转电子束蒸发源初步模型的建立 | 第22-25页 |
3.1.1 电子束发生组件的初步设计 | 第22-23页 |
3.1.2 控制极的初步设计 | 第23-24页 |
3.1.3 磁偏转组件的初步设计 | 第24-25页 |
3.2 仿真模型的建立 | 第25-27页 |
3.3 定义电位和磁铁 | 第27-28页 |
3.4 网格划分 | 第28-29页 |
3.5 设置粒子源 | 第29-30页 |
3.6 边界条件的设置 | 第30页 |
3.7 模拟仿真与优化 | 第30-37页 |
3.7.1 控制极内端与阴极外沿的距离Dc的优化 | 第31-32页 |
3.7.2 控制极外端与阳极内端的距离Da的优化 | 第32-34页 |
3.7.3 阴极圆心横坐标与阳极右端横坐标之间的位移Db的优化 | 第34-35页 |
3.7.4 磁偏转挡片与控制极的角度θ的优化 | 第35-36页 |
3.7.5 控制极内端与灯丝座的距离De的优化 | 第36-37页 |
3.8 磁偏转电子束蒸发源电压和磁场对束斑位置的影响 | 第37-43页 |
本章小结 | 第43-44页 |
第四章 蒸发源的结构设计 | 第44-63页 |
4.1 蒸发源的机械设计 | 第44-53页 |
4.1.1 电子束发生及偏转组件的设计 | 第44-47页 |
4.1.2 水冷组件的设计 | 第47-48页 |
4.1.3 直线换位组件的设计 | 第48-50页 |
4.1.4 其他零件的设计 | 第50-53页 |
4.2 蒸发源材料的分析与选择 | 第53-55页 |
4.2.1 选择材料的要求 | 第53页 |
4.2.2 零件的选材及分析 | 第53-55页 |
4.3 蒸发源零件的检查和清洗 | 第55-56页 |
4.4 蒸发源的装配 | 第56-62页 |
4.4.1 装配时的注意点 | 第56-57页 |
4.4.2 装配过程 | 第57-62页 |
本章小结 | 第62-63页 |
第五章 蒸发源的性能测试 | 第63-74页 |
5.1 性能测试原理及指标 | 第63-64页 |
5.1.1 测试的原理 | 第63页 |
5.1.2 性能测试的指标 | 第63-64页 |
5.2 试验装置的设计 | 第64-68页 |
5.2.1 真空系统 | 第64-65页 |
5.2.2 冷却系统 | 第65-66页 |
5.2.3 红外测温仪 | 第66-67页 |
5.2.4 膜厚仪 | 第67-68页 |
5.3 测试实验 | 第68-69页 |
5.3.1 实验条件 | 第68-69页 |
5.3.2 测试过程 | 第69页 |
5.4 测试结果分析 | 第69-73页 |
5.4.1 电子束流的稳定性 | 第69-70页 |
5.4.2 电子束电流与坩埚温度和薄膜生长速率的关系 | 第70-73页 |
本章小结 | 第73-74页 |
结论 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-78页 |
攻读硕士学位期间的学术成果 | 第78-79页 |
致谢 | 第79页 |