均匀大片单层二硫化钼的合成
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 MoS2材料简介 | 第8-10页 |
| 1.2 单层MoS2制备方法简介 | 第10-18页 |
| 1.2.1 剥离法 | 第10-11页 |
| 1.2.2 化学合成法 | 第11-18页 |
| 1.3 单层MoS2材料常用表征方法 | 第18-20页 |
| 1.3.1 拉曼光谱 | 第18-19页 |
| 1.3.2 原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 1.4 本课题的研究内容和意义 | 第20-22页 |
| 第二章 双管系统制备均匀大片单层二硫化钼 | 第22-39页 |
| 2.1 单层二硫化钼的制备 | 第22-25页 |
| 2.1.1 实验装置的设计 | 第22-24页 |
| 2.1.2 样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.2 单层二硫化钼的表征与分析 | 第25-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜表征 | 第25-27页 |
| 2.2.2 Raman光谱表征 | 第27-29页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜表征 | 第29-31页 |
| 2.2.4 AFM表征 | 第31-32页 |
| 2.2.5 PL谱表征 | 第32-33页 |
| 2.3 数值模拟与分析 | 第33-38页 |
| 2.3.1 单层二硫化钼片尺寸大小分布的统计 | 第34-35页 |
| 2.3.2 双管系统内反应源浓度分布的数值模拟 | 第35-38页 |
| 2.4 小结 | 第38-39页 |
| 第三章 单层二硫化钼场效应晶体管的制备与性能研究 | 第39-44页 |
| 3.1 单层二硫化钼器件制作 | 第39-40页 |
| 3.2 单层二硫化钼器件的电学性能测试 | 第40-42页 |
| 3.3 单层二硫化钼器件紫外响应性能测试 | 第42-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 CVD法制备过程中不同硫钼比对产物的影响 | 第44-53页 |
| 4.1 双管系统中不同硫钼比下的产物分布 | 第44-46页 |
| 4.2 副产物MoOS2的表征与分析 | 第46-50页 |
| 4.2.1 扫描电子显微镜表征 | 第46页 |
| 4.2.2 透射电子显微镜表征 | 第46-49页 |
| 4.2.3 Raman光谱表征 | 第49页 |
| 4.2.4 AFM表征 | 第49-50页 |
| 4.3 线带状副产物的分析 | 第50-52页 |
| 4.3.1 扫描电子显微镜表征 | 第50-51页 |
| 4.3.2 Raman光谱表征 | 第51-52页 |
| 4.4 副产物的产生对制备单层二硫化钼的分析 | 第52页 |
| 4.5 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 在学期间研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
