| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 光催化反应基本机理 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体电子光激发过程 | 第11-12页 |
| 1.2.2 光生载流子的复合和分离机理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 带边位置 | 第13页 |
| 1.3 g-C_3N_4光催化剂的结构、剥离和改性方法 | 第13-18页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 g-C_3N_4的剥离方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4的改性方法 | 第16-18页 |
| 1.4 密度泛函理论 | 第18-21页 |
| 1.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| 1.4.2 Kohn-Sham方程 | 第19页 |
| 1.4.3 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 1.4.4 Hatree-Fock方法 | 第20-21页 |
| 1.5 DFT在光催化领域的应用 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文的选题依据和主要内容 | 第23-25页 |
| 第 2 章 g-C_3N_4负载单原子 Pt、Pd、Au提升光催化性能的理论研究 | 第25-42页 |
| 2.1 引言 | 第25-27页 |
| 2.2 计算方法 | 第27-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-41页 |
| 2.3.1 吸附位点和形成能 | 第28-32页 |
| 2.3.2 电子结构 | 第32-39页 |
| 2.3.3 光学性质 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 过渡金属单原子/g-C_3N_4光催化体系中载流子转移的第一性原理研究. | 第42-58页 |
| 3.1 引言 | 第42-44页 |
| 3.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第45-57页 |
| 3.3.1 稳定位点和形成能 | 第45-49页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第49-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 附录:硕士期间已发表和待发表的研究论文 | 第69页 |
