| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 序言 | 第11-20页 |
| 1.1 半导体光催化研究概况 | 第11-13页 |
| 1.1.1 半导体光催化的应用及其研究进展 | 第11-12页 |
| 1.1.2 半导体光催化的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.2 TiO_2纳米结构光催化研究概况 | 第13-15页 |
| 1.2.1 TiO_2纳米结构光催化的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.2.2 影响TiO_2纳米结构光催化活性的因素 | 第14-15页 |
| 1.2.3 TiO_2的不同晶面对其光催化性能的影响 | 第15页 |
| 1.3 基于TiO_2纳米结构的p-n异质结光催化研究概况 | 第15-17页 |
| 1.3.1 基于TiO_2纳米结构的p-n异质结光催化基本原理 | 第15-16页 |
| 1.3.2 基于TiO_2纳米结构的p-n异质结在光催化领域的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 本课题的选题思路及主要工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 TiO_2纳米花的可控制备及其光催化性能研究 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-21页 |
| 2.2.1 实验过程 | 第20-21页 |
| 2.2.2 TiO_2纳米花的表征 | 第21页 |
| 2.2.3 样品的光催化性能测试 | 第21页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第21-27页 |
| 2.3.1 样品的形貌结构分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 样品的晶相结构与晶面分析 | 第22-24页 |
| 2.3.3 样品的光催化性能及机理分析 | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的制备及其光催化性能研究 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-31页 |
| 3.2.1 TiO_2纳米片阵列膜的制备 | 第30页 |
| 3.2.2 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的制备 | 第30页 |
| 3.2.3 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的表征 | 第30页 |
| 3.2.4 样品的光催化性能测试 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-39页 |
| 3.3.1 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的形貌结构 | 第31-32页 |
| 3.3.2 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的晶相结构 | 第32-33页 |
| 3.3.3 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜成分分析 | 第33-35页 |
| 3.3.4 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的光吸收性能 | 第35页 |
| 3.3.5 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜的光致发光与导电性能 | 第35-37页 |
| 3.3.6 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜光催化性能 | 第37-39页 |
| 3.3.7 NiS/TiO_2 p-n异质结纳米片阵列膜光催化机理分析 | 第39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 4.1 总结 | 第42-43页 |
| 4.2 展望 | 第43-44页 |
| 附录 攻读硕士期间发表和提交的论文 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
