摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-27页 |
1.1 课题背景及研究意义 | 第12页 |
1.2 高压实验技术 | 第12-16页 |
1.2.1 静高压实验技术 | 第12-14页 |
1.2.2 动高压实验技术 | 第14-15页 |
1.2.3 动态加/卸载技术 | 第15-16页 |
1.3 高压电阻测量实验方法的研究进展 | 第16-19页 |
1.4 高压下的结构相变 | 第19-20页 |
1.5 硫族化合物高压相变过程中常见的晶体结构 | 第20-25页 |
1.6 本文的主要研究内容 | 第25-27页 |
第2章 高压实验技术及理论计算方法 | 第27-42页 |
2.1 金刚石对顶压砧技术 | 第27-32页 |
2.1.1 DAC工作原理 | 第27-28页 |
2.1.2 金刚石 | 第28页 |
2.1.3 垫块 | 第28页 |
2.1.4 封垫 | 第28-29页 |
2.1.5 样品装填 | 第29页 |
2.1.6 传压介质 | 第29-30页 |
2.1.7 压力标定 | 第30-32页 |
2.2 高压同步辐射X射线衍射技术 | 第32-35页 |
2.2.1 同步辐射X射线衍射 | 第32-33页 |
2.2.2 能量色散X射线衍射(EDXD) | 第33-34页 |
2.2.3 角度色散X射线衍射(ADXD) | 第34-35页 |
2.2.4 高压粉末衍射法和单晶衍射法 | 第35页 |
2.3 高压拉曼光谱实验技术 | 第35-36页 |
2.4 动态加载实验技术 | 第36-39页 |
2.5 理论计算 | 第39-42页 |
2.5.1 密度泛函理论 | 第39-40页 |
2.5.2 相变过程的预判 | 第40-42页 |
第3章 动态加载电阻测量法的建立 | 第42-62页 |
3.1 引言 | 第42页 |
3.2 高压电学测量的工作原理 | 第42-43页 |
3.3 电路的制备 | 第43-49页 |
3.3.1 掩膜的制备 | 第44-46页 |
3.3.2 电极的喷镀 | 第46-48页 |
3.3.3 外电路布线 | 第48-49页 |
3.4 封垫的绝缘处理 | 第49-50页 |
3.5 样品的装填 | 第50-51页 |
3.6 动态加载电阻测量实验方法的建立 | 第51-56页 |
3.6.1 动态加载实验 | 第51-54页 |
3.6.2 动态加载实验中压力的标定 | 第54-55页 |
3.6.3 电压信号的采集 | 第55-56页 |
3.7 动态加载电阻测量实验方法的应用 | 第56-60页 |
3.7.1 PbS的高压相变研究 | 第56-57页 |
3.7.2 实验细节及理论计算方法 | 第57-58页 |
3.7.3 实验结果与讨论 | 第58-60页 |
3.8 本章小结 | 第60-62页 |
第4章 XTe(X=Zn,Ge)的高压相变研究 | 第62-88页 |
4.1 ZnTe的高压相变研究 | 第62-72页 |
4.1.1 引言 | 第62-63页 |
4.1.2 实验细节及理论计算方法 | 第63页 |
4.1.3 结果与讨论 | 第63-72页 |
4.2 GeTe的高压相变研究 | 第72-86页 |
4.2.1 引言 | 第72-74页 |
4.2.2 实验细节及理论计算方法 | 第74-75页 |
4.2.3 结果与讨论 | 第75-86页 |
4.3 本章小结 | 第86-88页 |
第5章 A_2B_3(A=Bi,Sb,B=Te,Se)型硫族化合物的高压相变研究 | 第88-123页 |
5.1 Bi_2Se_3的高压相变研究 | 第88-100页 |
5.1.1 引言 | 第88-90页 |
5.1.2 实验细节及理论计算方法 | 第90页 |
5.1.3 实验结果与讨论 | 第90-100页 |
5.2 Bi_2Se_(3-x)Te_x(X=1,2)的高压相变研究 | 第100-111页 |
5.2.1 引言 | 第100-101页 |
5.2.2 实验细节 | 第101-102页 |
5.2.3 Bi_2Te_2Se的高压相变实验结果与讨论 | 第102-108页 |
5.2.4 Bi_2Se_2Te的高压相变实验结果与讨论 | 第108-111页 |
5.3 Sb_2Se_3的高压相变研究 | 第111-122页 |
5.3.1 引言 | 第111-112页 |
5.3.2 实验细节及理论计算方法 | 第112-113页 |
5.3.3 实验结果与讨论 | 第113-122页 |
5.4 本章小结 | 第122-123页 |
结论 | 第123-125页 |
参考文献 | 第125-140页 |
攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第140-142页 |
致谢 | 第142页 |