| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 纳米二氧化硅的概述 | 第12-14页 |
| 1.3 纳米二氧化硅的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3.1 物理法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 化学法 | 第15-17页 |
| 1.3.3 不同制备方法的比较 | 第17页 |
| 1.4 纳米二氧化硅的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 银纳米线透明导电膜的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验内容与方法 | 第23-27页 |
| 2.1 主要的实验试剂和设备 | 第23-24页 |
| 2.2 纳米二氧化硅的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 材料表征测试方法 | 第25-27页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.3.2 X射线能谱仪(EDS) | 第25页 |
| 2.3.3 X射线粉末衍射仪(XRD) | 第25页 |
| 2.3.4 激光粒度测试仪(DLS) | 第25-26页 |
| 2.3.5 紫外-可见光分光光度计 | 第26页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜(TEM) | 第26页 |
| 2.3.7 傅里叶红外光谱测试(FT-IR) | 第26-27页 |
| 第3章 纳米二氧化硅颗粒的制备研究 | 第27-44页 |
| 3.1 纳米二氧化硅的形成机理及制备 | 第27-30页 |
| 3.1.1 纳米二氧化硅的形成机理 | 第27-28页 |
| 3.1.2 纳米二氧化硅的制备步骤 | 第28-29页 |
| 3.1.3 特定粒径纳米二氧化硅的制备 | 第29-30页 |
| 3.2 纳米二氧化硅的表征 | 第30-33页 |
| 3.2.1 SEM及EDS表征 | 第30-31页 |
| 3.2.2 透射电镜分析 | 第31页 |
| 3.2.3 X射线衍射分析 | 第31-32页 |
| 3.2.4 激光粒度分析 | 第32-33页 |
| 3.3 影响纳米二氧化硅的因素 | 第33-42页 |
| 3.3.1 TEOS用量的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 水用量的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.3 氨水用量的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.4 乙醇用量的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小节 | 第42-44页 |
| 第4章 纳米二氧化硅层性能的研究 | 第44-59页 |
| 4.1 纳米二氧化硅层的作用原理及构筑 | 第44-47页 |
| 4.1.1 纳米二氧化硅层提高透过率的原理 | 第44-45页 |
| 4.1.2 纳米二氧化硅层的构筑 | 第45页 |
| 4.1.3 纳米二氧化硅层的表征 | 第45-47页 |
| 4.2 纳米二氧化硅层对银纳米线透明导电膜的影响研究 | 第47-53页 |
| 4.2.1 纳米二氧化硅浓度对透明导电膜性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.2.2 纳米二氧化硅粒径对透明导电膜性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 纳米二氧化硅层对导电膜图案化性能的影响研究 | 第53-57页 |
| 4.3.1 激光刻蚀银纳米线透明导电膜的步骤 | 第53-54页 |
| 4.3.2 先图案化后涂覆纳米二氧化硅对透明导电膜的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.3 先涂覆纳米二氧化硅后图案化对透明导电膜的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 高性能透明导电膜在触控器件的应用研究 | 第59-68页 |
| 5.1 激光刻蚀银纳米线透明导电膜 | 第59-65页 |
| 5.1.1 图案化的方法简介 | 第59-60页 |
| 5.1.2 激光刻蚀的参数对图案化的影响 | 第60-65页 |
| 5.1.3 激光刻蚀用于触控器件的图案化 | 第65页 |
| 5.2 高性能导电膜用于触控器件的制备研究 | 第65-67页 |
| 5.3 本章小节 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
