| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 材料研发困境 | 第12-13页 |
| 1.2 组合材料学的出现和发展 | 第13-15页 |
| 1.3 材料的高通量制备 | 第15-17页 |
| 1.3.1 分立模板方法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 连续模板方法 | 第16页 |
| 1.3.3 无模板共沉积方法 | 第16-17页 |
| 1.4 高通量表征测试 | 第17-22页 |
| 1.4.1 高通量成分测试和结构表征 | 第17-18页 |
| 1.4.2 高通量电磁学性质表征 | 第18-19页 |
| 1.4.3 高通量光学性质测试 | 第19页 |
| 1.4.4 高通量力学测试 | 第19-21页 |
| 1.4.5 高通量电化学测试 | 第21-22页 |
| 1.5 电阻测试的优势 | 第22页 |
| 1.6 论文组织架构 | 第22-24页 |
| 第二章 高通量扫描四探针电阻测试系统设计 | 第24-32页 |
| 2.1 两探针与四探针电阻测量原理比较 | 第24-25页 |
| 2.2 四探针电阻率测量方法及薄膜方块电阻的计算 | 第25-28页 |
| 2.3 高通量扫描四探针电阻测试系统构成 | 第28-29页 |
| 2.4 电阻扫描测试方法 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 高通量扫描四探针技术应用: 快速筛选金属玻璃 | 第32-45页 |
| 3.1 金属玻璃概述 | 第32-33页 |
| 3.2 金属玻璃的制备工艺 | 第33页 |
| 3.3 金属玻璃的性能和应用 | 第33-34页 |
| 3.4 玻璃形成能力概述 | 第34-35页 |
| 3.5 高通量电阻测量方法应用于金属玻璃的筛选 | 第35-43页 |
| 3.5.1 实验方法 | 第35-36页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 高通量扫描四探针技术应用:玻璃形成能力的筛选 | 第45-61页 |
| 4.1 玻璃形成能力实验判据 | 第45-48页 |
| 4.2 实验方法 | 第48-52页 |
| 4.2.1 样品制备、成分测试及电阻测试 | 第48-49页 |
| 4.2.2 高真空热处理 | 第49-51页 |
| 4.2.3 并行扫描纳米量热技术 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 变温电阻传感器设计、制备及应用 | 第61-85页 |
| 5.1 电阻随温度变化关系在材料研究中的应用 | 第61-62页 |
| 5.2 变温电阻传感器的几何形状设计和器件结构设计 | 第62-63页 |
| 5.2.1 传感器几何形状设计 | 第62页 |
| 5.2.2 器件结构设计及材料选择 | 第62-63页 |
| 5.3 温度特性仿真计算 | 第63-66页 |
| 5.4 测试系统 | 第66-67页 |
| 5.5 制备工艺 | 第67-70页 |
| 5.5.1 基底清洗 | 第67页 |
| 5.5.2 涂胶 | 第67-68页 |
| 5.5.3 光刻及显影 | 第68页 |
| 5.5.4 样品沉积及剥离 | 第68-69页 |
| 5.5.5 氮化硅保护层沉积 | 第69-70页 |
| 5.6 温度标定 | 第70-73页 |
| 5.7 变温电阻传感器的应用 | 第73-83页 |
| 5.8 局限性 | 第83页 |
| 5.9 本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 合金前体制备高结晶度铜锡硫薄膜 | 第85-93页 |
| 6.1 铜锡硫化合物的研究现状概述 | 第85页 |
| 6.2 实验与表征方法 | 第85-86页 |
| 6.2.1 样品制备 | 第85-86页 |
| 6.2.2 表征 | 第86页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第86-92页 |
| 6.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 结论与展望 | 第93-95页 |
| 7.1 本课题所取得的成果 | 第93-94页 |
| 7.2 本课题所开发的技术和方法的应用扩展及后续工作展望 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-108页 |
| 附录 | 第108-112页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第112-113页 |
