| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第15-45页 |
| 1.1 超导的研究价值 | 第16-17页 |
| 1.2 超导简介 | 第17-43页 |
| 1.2.1 超导材料 | 第17-27页 |
| 1.2.2 超导机理 | 第27-43页 |
| 1.2.3 小结 | 第43页 |
| 1.3 本文研究问题和结构 | 第43-45页 |
| 第2章 超导薄膜的生长与作用 | 第45-63页 |
| 2.1 薄膜生长技术简介 | 第45-51页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第46-47页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积 | 第47-49页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第49-50页 |
| 2.1.4 小结 | 第50-51页 |
| 2.2 超导薄膜的作用 | 第51-63页 |
| 2.2.1 合成亚稳相材料 | 第51-52页 |
| 2.2.2 电输运测量 | 第52-53页 |
| 2.2.3 制备异质结及超晶格 | 第53-62页 |
| 2.2.4 小结 | 第62-63页 |
| 第3章 最佳掺杂电子型铜氧化物双能隙的研究 | 第63-74页 |
| 3.1 磁通态霍尔电阻变号的研究背景 | 第63-64页 |
| 3.2 最佳掺杂La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)(x=0.105)薄膜的制备及电输运测量 | 第64-65页 |
| 3.3 电输运测量结果及其可重复性 | 第65-69页 |
| 3.3.1 霍尔电导率在磁通态随温度和磁场的变号 | 第65-66页 |
| 3.3.2 霍尔电阻变号在不同氧含量样品中的可重复性 | 第66-69页 |
| 3.4 霍尔电阻变号的分析与讨论 | 第69-71页 |
| 3.4.1 基于双能隙的定性分析 | 第69-70页 |
| 3.4.2 基于唯像Ginzburg-Landau理论的定量拟合 | 第70-71页 |
| 3.5 小结 | 第71-72页 |
| 3.6 拓展与展望 | 第72-74页 |
| 第4章 尖晶石氧化物超导LiTi_2O_4中的非常规超导特性 | 第74-85页 |
| 4.1 LTO的研究背景 | 第74-78页 |
| 4.1.1 LTO与电子型铜氧化物电子带的超导相似性 | 第74-75页 |
| 4.1.2 LTO中电子间的关联 | 第75-76页 |
| 4.1.3 LTO中反铁磁自旋涨落和轨道相关态 | 第76-77页 |
| 4.1.4 生长氧压对LTO薄膜性质的影响 | 第77-78页 |
| 4.2 LTO薄膜的制备、电输运测量及离子液体调控 | 第78-79页 |
| 4.3 LTO的非常规超导特性 | 第79-82页 |
| 4.3.1 离子液体调控中T_c的变化 | 第79-80页 |
| 4.3.2 离子液体调控中轨道相关态和载流子浓度的变化 | 第80-81页 |
| 4.3.3 离子液体调控中线性电阻的变化 | 第81-82页 |
| 4.4 超导起始转变温度随生长氧压的变化 | 第82-84页 |
| 4.5 小结 | 第84-85页 |
| 第5章 新型尖晶石氧化物超导MgTi_2O_4的探索 | 第85-102页 |
| 5.1 尖晶石氧化物的研究背景 | 第85-86页 |
| 5.2 超导MTO薄膜的生长过程 | 第86-93页 |
| 5.2.1 激光溅射能量密度对薄膜性质的调节 | 第87-89页 |
| 5.2.2 生长温度对薄膜性质的调节 | 第89-90页 |
| 5.2.3 构建[MTO/SrTiO_3]_2 超晶格 | 第90-92页 |
| 5.2.4 其它条件对薄膜性质的调节 | 第92-93页 |
| 5.3 MTO超导的性质 | 第93-94页 |
| 5.4 MTO超导的来源 | 第94-98页 |
| 5.4.1 不同样品间的Mg/Ti值的变化 | 第94-96页 |
| 5.4.2 Ti的化合价在超导薄膜中的演变 | 第96-97页 |
| 5.4.3 理论计算 | 第97-98页 |
| 5.4.4 小结 | 第98页 |
| 5.5 结构表征 | 第98-100页 |
| 5.5.1 样品的结晶性 | 第99页 |
| 5.5.2 样品的外延性 | 第99-100页 |
| 5.6 展望 | 第100-101页 |
| 5.7 小结 | 第101-102页 |
| 第6章 总结与展望 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第121-122页 |
