| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 硒化铋(Bi_2Se_3)材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2 热电材料的概述 | 第10页 |
| 1.2.1 热电材料的定义及分类 | 第10页 |
| 1.2.2 热电优值 | 第10页 |
| 1.3 硒化铋(Bi_2Se_3)材料在新型热电材料中的研究与应用 | 第10-11页 |
| 1.4 硒化铋(Bi_2Se_3)在薄膜场效应晶体管中的应用 | 第11页 |
| 1.5 Bi_2Se_3半导体材料的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.6 本论文的研究内容及创新点 | 第13-15页 |
| 1.6.1 论文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 1.6.2 本论文的创新点 | 第14-15页 |
| 2 Cu掺杂的Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的制备及特性分析 | 第15-35页 |
| 2.1 Bi_2Se_3及Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第16-18页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第18-19页 |
| 2.2 Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的热电特性测试及分析 | 第19-27页 |
| 2.2.1 Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的XRD、表面形貌分析 | 第19-22页 |
| 2.2.2 Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的热电测试与分析 | 第22-27页 |
| 2.3 退火后的Bi_2Se_3热电样品的热电特性测试及分析 | 第27-33页 |
| 2.3.1 退火装置 | 第27-28页 |
| 2.3.2 退火后的Bi_2Se_3热电薄膜的热电特性测试及分析 | 第28-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 3 Bi_2Se_3场效应晶体管的制备及IV特性研究 | 第35-46页 |
| 3.1 FETs的基本结构及其工作原理 | 第35-37页 |
| 3.1.1 FETs的基本结构 | 第35页 |
| 3.1.2 FETs的工作原理 | 第35-37页 |
| 3.2 Bi_2Se_3半导体场效应晶体管的制备 | 第37-39页 |
| 3.2.1 Bi_2Se_3场效应晶体管的结构 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Bi_2Se_3场效应晶体管的制备过程 | 第38-39页 |
| 3.3 Bi_2Se_3半导体FETs的IV特性测试与分析 | 第39-45页 |
| 3.3.1 器件参数的选取与测试 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同参数下的Bi_2Se_3半导体FETs的IV特性分析 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
