复合硫化镉双层薄膜的气相与溶液制备方法的比较研究
| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·硫化镉的应用前景 | 第8-10页 |
| ·光学材料 | 第8-9页 |
| ·光电材料 | 第9页 |
| ·光电催化材料 | 第9-10页 |
| ·非线性光学材料 | 第10页 |
| ·硫化镉研究现状 | 第10-11页 |
| ·国内研究现状 | 第10-11页 |
| ·国外研究现状 | 第11页 |
| ·硫化镉的制备方法 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要工作内容 | 第12-13页 |
| 第二章 光导电研究的理论介绍 | 第13-27页 |
| ·光电子材料种类及应用 | 第14-16页 |
| ·光电子材料原理 | 第16-22页 |
| ·半导体材料的结构 | 第17-22页 |
| ·元素半导体晶型结构分析 | 第17-19页 |
| ·硫化镉晶型结构分析 | 第19-20页 |
| ·杂质半导体 | 第20-22页 |
| ·N 型半导体硫化镉 | 第22-23页 |
| ·四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法 | 第23-27页 |
| ·四探针法测法理论探究 | 第23-25页 |
| ·实验装置图如下 | 第25-27页 |
| 第三章 真空蒸发法制备CdS 薄膜及其性能研究 | 第27-38页 |
| ·真空蒸发法的实验原理 | 第27页 |
| ·真空蒸发法的实验装置及药品 | 第27-28页 |
| ·真空蒸发法的工艺流程 | 第28-29页 |
| ·衬底清洁处理 | 第28页 |
| ·真空蒸发制备硫化镉薄膜 | 第28-29页 |
| ·电极制备及其后期处理 | 第29页 |
| ·硫化镉薄膜的性能测试 | 第29-37页 |
| ·硫化镉薄膜结构测试 | 第29-32页 |
| ·硫化镉的微观形貌 | 第32-33页 |
| ·CdS 薄膜的光学性能测试 | 第33-35页 |
| ·电阻测量 | 第35-37页 |
| ·样品及其测量仪器 | 第35-36页 |
| ·实验方法及测试结果 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 CBD 法制备CdS 薄膜及其性能研究 | 第38-52页 |
| ·CBD 法成膜原理 | 第38-40页 |
| ·溶液的酸碱性pH | 第38-39页 |
| ·温度对初始生长速率的影响 | 第39-40页 |
| ·CBD 法的实验方案 | 第40-41页 |
| ·CBD 法的实验方案一 | 第40页 |
| ·实验方法二 | 第40-41页 |
| ·实验具体步骤 | 第41页 |
| ·对CBD 法制备的CdS 薄膜进行测试 | 第41-50页 |
| · | 第41-43页 |
| ·硫化镉薄膜的厚度与沉积时间的关系 | 第41-42页 |
| ·超声震荡对薄膜沉积速度的影响 | 第42-43页 |
| ·硫化镉薄膜结构测试 | 第43-45页 |
| ·硫化镉的微观形貌 | 第45-46页 |
| ·CdS 薄膜的光学性能测试 | 第46-48页 |
| ·硫化镉的电学性能测试 | 第48-50页 |
| ·影响CdS 成膜质量的几个主要因素 | 第50-52页 |
| 第五章 CdS 的双层膜制备及其性能测试 | 第52-58页 |
| ·Cu_2S 薄膜的制备 | 第52-55页 |
| ·硫化亚铜的制备原理 | 第52页 |
| ·药品及其实验装置 | 第52-53页 |
| ·溶液的配置 | 第53页 |
| ·实验具体步骤 | 第53-55页 |
| ·CdS/Cu_2S PN 结 | 第55-56页 |
| ·CdS/Cu_2S 样品的电特性实验 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 论文总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 摘要 | 第65-71页 |
| Abstract | 第71-77页 |
