| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非易失性存储器发展趋势 | 第11-14页 |
| 1.2.1 相变存储器(PCM) | 第11-12页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.3 磁阻存储器(MRAM) | 第13-14页 |
| 1.3 阻变存储器的发展历程和研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 本文的主要内容和研究意义 | 第17-20页 |
| 第二章 RRAM的工作原理与阻变机制 | 第20-29页 |
| 2.1 RRAM的工作原理 | 第20-23页 |
| 2.1.1 双极型RRAM | 第21-22页 |
| 2.1.2 单极型RRAM | 第22-23页 |
| 2.2 RRAM的电阻转变机制 | 第23-27页 |
| 2.2.1 电化学机制 | 第23-25页 |
| 2.2.2 化合价变化机制 | 第25-26页 |
| 2.2.3 热化学效应机制 | 第26-27页 |
| 2.3 本文的研究方法和工具 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 石墨烯/NiO界面体系性质研究 | 第29-42页 |
| 3.1 结构模型和计算方法 | 第29-33页 |
| 3.2 石墨烯/氧化镍界面稳定性分析 | 第33-38页 |
| 3.2.1 石墨烯/氧化镍界面的畸变 | 第33-36页 |
| 3.2.2 石墨烯/氧化镍界面结合的紧密程度 | 第36-38页 |
| 3.3 石墨烯/氧化镍界面电子特性分析 | 第38-41页 |
| 3.3.1 界面体系中界面处成键特点分析 | 第38-40页 |
| 3.3.2 界面体系的态密度分析 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 石墨烯/NiO/石墨烯结构阻变特性研究 | 第42-59页 |
| 4.1 结构模型和计算方法 | 第42-44页 |
| 4.2 器件模型的阻变特性分析 | 第44-49页 |
| 4.2.1 器件模型I-V曲线特征分析 | 第44-46页 |
| 4.2.2 不同阻态下的模型结构分析 | 第46-49页 |
| 4.3 不同尺寸的阻变层对器件性能的影响 | 第49-53页 |
| 4.3.1 不同尺寸石墨烯/NiO/石墨烯模型的建立 | 第49-51页 |
| 4.3.2 不同NiO尺寸下导电细丝形成机理分析 | 第51页 |
| 4.3.3 各个器件模型电流电压关系分析 | 第51-53页 |
| 4.4 界面处掺杂对器件性能的影响 | 第53-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 工作总结 | 第59-60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 图表目录 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第71页 |