首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

低维硅基纳米材料的空位、拓扑缺陷与物性的数值模拟研究

摘要第4-7页
Abstract第7-9页
目录第10-13页
第一章 背景介绍第13-30页
    第一节 纳米材料与纳米科技简介第13-14页
    第二节 二维纳米材料第14-20页
        2.1 石墨烯以及类石墨烯纳米材料第14-17页
            2.1.1 石墨烯的特性及其应用前景第14-15页
            2.1.2 二维类石墨烯材料第15-17页
        2.2 单层的硅原子结构—硅烯第17-20页
            2.2.1 硅烯的几何结构及其电子性质第17-18页
            2.2.2 硅烯的制备及其发展前景第18-20页
    第三节 二维晶体中的缺陷第20-22页
    第四节 一维纳米带的结构及其特性第22-23页
    第五节 本章小结第23-24页
    参考文献第24-30页
第二章 第一性原理方法介绍第30-51页
    第一节 引言第30-31页
    第二节 第一性原理计算方法第31-49页
        2.1 Born-Oppenheimer近似第31-32页
        2.2 单粒子近似第32-34页
        2.3 密度泛函理论第34-36页
            2.3.1 Hohenberg-Kohn定理第34-35页
            2.3.2 Kohn-Sham方程:有效单体理论第35-36页
        2.4 交换关联势第36-39页
            2.4.1 局域密度近似第37页
            2.4.2 广义梯度近似(GGA)第37-38页
            2.4.3 杂化密度泛函第38-39页
        2.5 基组展开第39-41页
            2.5.1 原子轨道基第39页
            2.5.2 平面波基第39-41页
        2.6 赝势和全电子方法第41-44页
            2.6.1 赝势第41-42页
            2.6.2 全电子方法第42-44页
        2.7 倒空间积分第44-46页
            2.7.1 晶体平移对称性第44-45页
            2.7.2 点群对称性第45-46页
        2.8 布里渊区积分第46-49页
            2.8.1 平均值法第46-47页
            2.8.2 特殊点方法第47页
            2.8.3 展宽方法第47-48页
            2.8.4 四面体方法第48-49页
    参考文献第49-51页
第三章 准一维纳米带锯齿形边界的结构和电磁性质第51-77页
    第一节 引言第51-53页
    第二节 硅纳米带锯齿形边界的(2×1)重构第53-64页
        2.1 结构模型和计算方法第53-55页
        2.2 锯齿形硅纳米带边界(2×1)重构的几何结构第55-60页
        2.3 边界振动性质的研究第60-62页
        2.4 8-edge-4硅纳米带的电磁性质第62-64页
    第三节 硫吸附的锯齿形石墨纳米带的几何和电子结构第64-72页
        3.1 计算方法和模型第64-65页
        3.2 100%边界硫吸附的4-ZGNR第65-68页
        3.3 50%边界硫化学吸附的4-ZGNR第68-72页
    第四节 本章小结第72-74页
    参考文献第74-77页
第四章 硅烯中新的单空位缺陷:第一性原理研究第77-91页
    第一节 引言第77-79页
    第二节 计算方法和模型第79-81页
        2.1 C1-NEB弹性键方法理论第79-81页
        2.2 计算参数第81页
    第三节 结果和讨论第81-88页
        3.1 硅烯中单空位缺陷的结构及其稳定性研究第81-85页
        3.2 自修复单空位缺陷在硅烯中的运动第85-86页
        3.3 含单空位缺陷硅烯的电子结构第86-88页
    第四节 本章小结第88-89页
    参考文献第89-91页
第五章 衬底对硅烯单空位缺陷的影响第91-106页
    第一节 引言第91-92页
    第二节 计算方法和模型第92-95页
        2.1 计算方法第92-93页
        2.2 计算模型第93-95页
    第三节 结果和讨论第95-103页
        3.1 衬底上硅烯单空位缺陷的形成能第95-96页
        3.2 单层h-BN上硅烯单空位缺陷的结构和电子性质第96-98页
        3.3 Ag(111)表面对硅烯单空位缺陷的几何结构和电子性质的影响第98-103页
    第四节 本章小结第103-104页
    参考文献第104-106页
博士期间发表和待发表的论文第106-107页
致谢第107-109页

论文共109页,点击 下载论文
上一篇:外源24-表油菜素内酯和乙酰水杨酸处理及热驯化诱导番茄耐热性研究
下一篇:采气作业区开发指标优化与管理效果评价研究