硫化银纳米溶胶的制备研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米半导体材料的特性及应用 | 第9-11页 |
| 1.2.1 纳米半导体材料的特性 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纳米半导体材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 纳米材料的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.4 硫化物纳米半导体材料的制备与研究现状 | 第12-17页 |
| 1.4.1 硫化物纳米半导体材料的制备研究 | 第12-15页 |
| 1.4.2 纳米硫化银的制备现状 | 第15-17页 |
| 1.5 本课题的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第17页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验部分 | 第19-25页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第19-21页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第19-20页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第20页 |
| 2.1.3 原料的选取 | 第20-21页 |
| 2.2 实验步骤 | 第21-23页 |
| 2.2.1 有机酸银的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 常规液相合成法制备纳米硫化银 | 第22页 |
| 2.2.3 水热合成法制备纳米硫化银 | 第22-23页 |
| 2.3 本实验采用的主要表征手段 | 第23-25页 |
| 第三章 纳米硫化银的常规液相合成研究 | 第25-47页 |
| 3.1 有机酸银的结构确认 | 第25-27页 |
| 3.2 硫化银的 XRD 分析 | 第27页 |
| 3.3 工艺条件的影响 | 第27-44页 |
| 3.3.1 硫源种类的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.2 有机酸银种类的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.3 络合剂种类的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.4 保护剂种类的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.5 银源浓度的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.6 银源和硫源浓度比的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.7 络合剂添加量的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.8 反应时间的影响 | 第41-44页 |
| 3.4 形貌表征与光学性能研究 | 第44-45页 |
| 3.4.1 形貌表征 | 第44-45页 |
| 3.4.2 光学性能研究 | 第45页 |
| 3.5 结论 | 第45-47页 |
| 第四章 纳米硫化银的水热法合成研究 | 第47-64页 |
| 4.1 硫化银的 XRD 分析 | 第47-48页 |
| 4.2 工艺条件的影响 | 第48-61页 |
| 4.2.1 硫源种类的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.2 有机酸银种类的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.3 银源与硫源浓度比的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.4 络合剂种类的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.5 保护剂种类的影响 | 第55-57页 |
| 4.2.6 反应时间的影响 | 第57-59页 |
| 4.2.7 反应温度的影响 | 第59-61页 |
| 4.3 形貌表征与光学性质研究 | 第61-62页 |
| 4.3.1 形貌表征 | 第61页 |
| 4.3.2 光学性能分析 | 第61-62页 |
| 4.4 结论 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
