| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 SnO_2:F(FTO)薄膜简介 | 第11-14页 |
| 1.2.1 SnO_2薄膜晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SnO_2薄膜的基本特性 | 第12页 |
| 1.2.3 FTO 薄膜的基本特性 | 第12-14页 |
| 1.3 FTO 薄膜制备方法的研究 | 第14-16页 |
| 1.3.1 喷雾热解法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 脉冲激光沉积法 | 第15页 |
| 1.3.3 磁控溅射法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.4 本课题的研究目的与内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 本课题的研究目的 | 第16-17页 |
| 1.4.2 本课题的研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验方法 | 第18-22页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第18-19页 |
| 2.2 实验原理及过程 | 第19-20页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第19页 |
| 2.2.2 FTO 薄膜沉积过程 | 第19-20页 |
| 2.2.3 FTO 薄膜热处理过程 | 第20页 |
| 2.3 样品的表征 | 第20-22页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的检测 | 第20-21页 |
| 2.3.2 薄膜的电学性能的检测与表征 | 第21页 |
| 2.3.3 薄膜的光学性能的检测与表征 | 第21-22页 |
| 第3章 纯 Ar 气氛下 FTO 薄膜溅射工艺研究 | 第22-33页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 纯 Ar 气氛下基体温度对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第22-25页 |
| 3.2.1 纯 Ar 气氛下基体温度对 FTO 薄膜电学性能的影响 | 第23-24页 |
| 3.2.2 纯 Ar 气氛下基体温度对 FTO 薄膜光学性能的影响 | 第24-25页 |
| 3.3 纯 Ar 气氛下溅射气压对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第25-28页 |
| 3.3.1 纯 Ar 气氛下溅射气压对 FTO 薄膜电学性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.3.2 纯 Ar 气氛下溅射气压对 FTO 薄膜光学性能的影响 | 第27-28页 |
| 3.4 纯 Ar 气氛下溅射功率对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第28-32页 |
| 3.4.1 纯 Ar 气氛下溅射功率对 FTO 薄膜电学性能的影响 | 第29-30页 |
| 3.4.2 纯 Ar 气氛下溅射功率对 FTO 薄膜光学性能的影响 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 混合气氛下溅射 FTO 薄膜溅射工艺研究 | 第33-48页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 Ar/O_2混合气氛下 FTO 薄膜溅射工艺研究 | 第33-35页 |
| 4.2.1 O_2流量对 FTO 薄膜电学性能的影响 | 第33-34页 |
| 4.2.2 O_2流量对 FTO 薄膜光学性能的影响 | 第34-35页 |
| 4.3 Ar/H_2混合气氛下 FTO 薄膜溅射工艺研究 | 第35-46页 |
| 4.3.1 H_2流量对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第35-38页 |
| 4.3.2 Ar/H_2混合气氛下溅射功率对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第38-41页 |
| 4.3.3 Ar/H_2混合气氛下溅射气压对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.3.4 Ar/H_2混合气氛下溅射时间对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第43-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 FTO 薄膜退火工艺研究 | 第48-59页 |
| 5.1 引言 | 第48-49页 |
| 5.2 退火实验简介 | 第49-50页 |
| 5.3 退火工艺对 FTO 薄膜光电性能影响 | 第50-57页 |
| 5.3.1 退火温度对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第50-55页 |
| 5.3.2 退火时间对 FTO 薄膜光电性能的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第6章 全文总结 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
