| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 前言 | 第9-13页 |
| 1.1.1 铜基薄膜太阳电池的类型与结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 铜基薄膜太阳电池的发展 | 第11-12页 |
| 1.1.3 铜基薄膜太阳电池缓冲层简介 | 第12-13页 |
| 1.2 铜基太阳电池无镉缓冲层的研究进展 | 第13-20页 |
| 1.2.1 常用无镉缓冲层材料的基本特性 | 第13-14页 |
| 1.2.2 无镉缓冲层材料的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.2.3 无镉缓冲层材料的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.4 无镉缓冲层材料研究存在的问题及解决思路 | 第19-20页 |
| 1.3 本文的选题意义及研究内容 | 第20-22页 |
| 1.3.1 本文的选题意义 | 第20页 |
| 1.3.2 本文的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 实验材料、设备与实验样品的表征方法 | 第22-37页 |
| 2.1 实验材料 | 第22-23页 |
| 2.2 无镉缓冲层的制备手段 | 第23-31页 |
| 2.2.1 电子束蒸发制备技术 | 第23-26页 |
| 2.2.2 磁控溅射制备技术 | 第26-31页 |
| 2.3 实验样品的表征方法 | 第31-37页 |
| 2.3.1 薄膜的物相结构分析 | 第31页 |
| 2.3.2 薄膜的光学性能分析 | 第31-33页 |
| 2.3.3 薄膜的原子力显微镜形貌分析 | 第33页 |
| 2.3.4 薄膜厚度测量 | 第33-34页 |
| 2.3.5 薄膜的电学性能表征 | 第34-36页 |
| 2.3.6 薄膜的拉曼光谱分析 | 第36-37页 |
| 第3章 电子束蒸发制备 ZnS 薄膜 | 第37-42页 |
| 3.1 在不同衬底温度下制备 ZnS 薄膜 | 第37页 |
| 3.2 XRD 表征及其物相结构分析 | 第37-39页 |
| 3.3 吸收光谱分析 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 双靶磁控共溅射制备 Zn(O, S)薄膜 | 第42-59页 |
| 4.1 不同衬底温度下制备 Zn(O, S)薄膜 | 第42-50页 |
| 4.2 不同溅射气压下制备 Zn(O, S)薄膜 | 第50-55页 |
| 4.3 不同溅射功率下制备的 Zn(O, S)薄膜 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 主要结论 | 第59-60页 |
| 5.2 未来的工作与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |