| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 石墨烯简介 | 第9-10页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 石墨烯的性能 | 第10页 |
| 1.3 石墨烯薄膜的制备方法与发展现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 微机械分离法 | 第10-11页 |
| 1.3.2 外延生长法 | 第11页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第11页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第11-12页 |
| 1.3.5 石墨烯薄膜的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文研究意义及主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2 实验材料与设备仪器 | 第15-21页 |
| 2.1 实验材料 | 第15页 |
| 2.2 实验设备 | 第15-17页 |
| 2.2.1 常压CVD管式炉 | 第15-16页 |
| 2.2.2 磁控溅射沉积系统 | 第16-17页 |
| 2.3 表征及测试仪器 | 第17-21页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第17页 |
| 2.3.2 高分辨拉曼光谱仪 | 第17-18页 |
| 2.3.3 Dektak-XT台阶仪 | 第18-19页 |
| 2.3.4 紫外可见光分光光度计 | 第19页 |
| 2.3.5 四探针测试仪 | 第19-21页 |
| 3 常压CVD在铜薄膜上生长石墨烯 | 第21-35页 |
| 3.1 研究现状 | 第21页 |
| 3.2 实验方案 | 第21-22页 |
| 3.3 生长条件对石墨烯生长的影响 | 第22-30页 |
| 3.3.1 生长温度对石墨烯生长的影响 | 第22-23页 |
| 3.3.2 铜的纯度对生长石墨烯的影响 | 第23-24页 |
| 3.3.3 生长气体对石墨烯生长的影响 | 第24-26页 |
| 3.3.4 生长时间对石墨烯生长的影响 | 第26-28页 |
| 3.3.5 管式炉控温区内基底的位置对石墨烯生长的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 石墨烯薄膜的转移 | 第30-31页 |
| 3.5 石墨烯的光电性能分析 | 第31-34页 |
| 3.5.1 不同生长时间的石墨烯光电特性 | 第31-33页 |
| 3.5.2 不同基底位置生长的石墨烯光电特性 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 硅上原位生长石墨烯 | 第35-45页 |
| 4.1 研究现状 | 第35页 |
| 4.2 磁控溅射原理 | 第35-36页 |
| 4.3 磁控溅射制备碳薄膜 | 第36-38页 |
| 4.3.1 实验步骤 | 第36-37页 |
| 4.3.2 工艺参数调控 | 第37页 |
| 4.3.3 碳膜性能表征 | 第37-38页 |
| 4.4 磁控溅射制备铜薄膜 | 第38-40页 |
| 4.4.1 工作气压对铜薄膜溅射速率的影响 | 第38-39页 |
| 4.4.2 溅射功率对铜薄膜溅射速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.5 利用硅-碳-铜结构制备石墨烯薄膜 | 第40-44页 |
| 4.5.1 磁控溅射沉积硅-碳-铜结构 | 第40页 |
| 4.5.2 常压CVD热处理 | 第40-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 石墨烯/硅肖特基异质结 | 第45-52页 |
| 5.1 前言 | 第45-47页 |
| 5.2 热电子发射理论 | 第47-48页 |
| 5.3 实验方案与器件制备 | 第48-49页 |
| 5.4 I-V曲线测试 | 第49-50页 |
| 5.5 测试结果与分析 | 第50-51页 |
| 5.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 6 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简历 | 第57页 |