| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 前言 | 第10-12页 |
| 1.2 晶体硅太阳电池光致衰减的研究进展 | 第12-16页 |
| 1.3 影响晶体硅太阳电池效率衰减的因素 | 第16-19页 |
| 1.3.1 直拉单晶硅中的氧 | 第16-18页 |
| 1.3.2 直拉单晶硅中的碳 | 第18页 |
| 1.3.3 直拉单晶硅中的金属杂质 | 第18页 |
| 1.3.4 直拉单晶硅中的缺陷 | 第18-19页 |
| 1.4 抑制晶体硅太阳电池效率衰减的措施 | 第19-21页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方案及测试方法 | 第22-28页 |
| 2.1 热处理样品制备 | 第22页 |
| 2.2 实验方案 | 第22-23页 |
| 2.2.1 单晶硅片的热处理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 太阳电池制备与性能 | 第23页 |
| 2.3 主要表征技术 | 第23-28页 |
| 2.3.1 微波光电导衰减仪 | 第23-24页 |
| 2.3.2 傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪 | 第24-25页 |
| 2.3.3 电流-电压（I-V）特性曲线测试仪 | 第25页 |
| 2.3.4 热斑耐久试验装置 | 第25-28页 |
| 第三章 热处理对掺镓直拉单晶硅中缺陷及少子寿命的影响 | 第28-48页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.3 热处理对掺镓直拉单晶硅片中缺陷形貌的影响 | 第30-43页 |
| 3.3.1 退火温度对掺镓单晶硅中氧沉淀形成的影响 | 第30-35页 |
| 3.3.2 退火时间对掺镓单晶硅中氧沉淀形成的影响 | 第35-43页 |
| 3.4 热处理对掺镓直拉单晶硅片少子寿命的影响 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-48页 |
| 第四章 掺镓晶体硅太阳电池的光致衰减研究 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验过程 | 第48-51页 |
| 4.2.1 掺镓单晶硅制备 | 第48-50页 |
| 4.2.2 电池样品制备 | 第50-51页 |
| 4.3 掺镓直拉单晶硅片的性能研究 | 第51-52页 |
| 4.4 掺镓单晶硅太阳电池的光伏特性研究 | 第52-55页 |
| 4.5 掺镓单晶硅太阳电池的光致衰减研究 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
