| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 阵列方向图综合方法概述 | 第12-13页 |
| 1.3 自适应旁瓣对消技术概述 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 阵列方向图综合 | 第15-35页 |
| 2.1 天线阵列的基本理论 | 第15-18页 |
| 2.1.1 阵列的方向图函数 | 第15-17页 |
| 2.1.2 天线电参数 | 第17-18页 |
| 2.2 道尔夫-切比雪夫综合 | 第18-22页 |
| 2.2.1 切比雪夫直线阵列的综合 | 第18-19页 |
| 2.2.2 可分离切比雪夫平面阵列的综合 | 第19-20页 |
| 2.2.3 不可分离切比雪夫平面阵列的综合 | 第20-22页 |
| 2.3 矩阵束算法 | 第22-28页 |
| 2.4 匹配追踪算法 | 第28-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 旁瓣对消基本方法及改进 | 第35-53页 |
| 3.1 旁瓣对消基本原理及仿真 | 第35-43页 |
| 3.1.1 旁瓣对消基本原理 | 第35-36页 |
| 3.1.2 旁瓣对消性能评估指标 | 第36-37页 |
| 3.1.3 直线阵列的旁瓣对消 | 第37-40页 |
| 3.1.4 大型平面阵列的旁瓣对消 | 第40-42页 |
| 3.1.5 通道噪声对自适应旁瓣对消技术的性能影响 | 第42-43页 |
| 3.2 基于阻塞矩阵的自适应旁瓣对消方法 | 第43-45页 |
| 3.3 恒增益旁瓣对消方法 | 第45-48页 |
| 3.4 基于特征空间的旁瓣对消方法 | 第48-49页 |
| 3.5 辅助天线位置优化 | 第49-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 自适应-自适应旁瓣对消方法 | 第53-67页 |
| 4.1 波束形成 | 第54-59页 |
| 4.1.1 最小方差无失真响应波束形成器 | 第54-55页 |
| 4.1.2 线性约束最小方差波束形成器 | 第55-57页 |
| 4.1.3 基于最大信干噪比准则的波束形成 | 第57-59页 |
| 4.2 干扰方向已知条件下的最优旁瓣对消策略 | 第59-61页 |
| 4.3 干扰方向估计 | 第61-64页 |
| 4.4 干扰方向未知条件下的最优旁瓣对消策略 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 硕士研究生期间科研成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |