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GaN自支撑衬底的原位自分离及Cu纳米丝透明欧姆电极研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
目录第9-13页
第一章 绪论第13-20页
    1.1 引言第13页
    1.2 半导体光电子器件的发展与应用第13-15页
    1.3 氮化物LED的现状与难题第15-17页
    1.4 解决当前问题的方法第17-18页
    1.5 论文构架第18-20页
第二章 理论计算和实验方法第20-36页
    2.1 计算模拟原理和方法第21-24页
        2.1.1 密度泛函理论第21-24页
        2.1.2 VASP程序包第24页
    2.2 生长技术第24-27页
        2.2.1 金属有机物气相外延(MOVPE)第24-26页
        2.2.2 氢化物气相外延(HVPE)第26-27页
    2.3 表征技术第27-36页
        2.3.1 原子力显微镜(AFM)第27-28页
        2.3.2 X射线衍射谱(XRD)第28-29页
        2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)第29-30页
        2.3.4 光致发光谱(PL)第30-31页
        2.3.5 透射电子显微镜(TEM)第31-32页
        2.3.6 电致发光(EL)第32页
        2.3.7 拉曼光谱(Raman)第32-33页
        2.3.8 方块电阻测量第33-34页
        2.3.9 紫外可见分光光度计第34-36页
第三章 应力梯度场调控原位GaN厚膜自分离技术第36-56页
    3.1 引言第36-37页
    3.2 GaN主要晶面分离能与自分离调控技术第37-45页
        3.2.1 模型构建与计算方法第37-40页
        3.2.2 GaN各类表面的电子结构性质第40-41页
        3.2.3 非极性小面的开裂抑制第41-43页
        3.2.4 GaN极性c面分离能的应变骤变区第43-45页
    3.3 HVPE生长的GaN厚膜的原位自分离第45-52页
        3.3.1 失配应力预释放第45-46页
        3.3.2 梯度应力场在GaN厚膜中的调制第46-47页
        3.3.3 GaN厚膜原位自分离第47-52页
    3.4 分离后的GaN自支撑衬底性质第52-54页
        3.4.1 晶体质量第52-53页
        3.4.2 蓝宝石衬底的可循环再利用第53-54页
    3.5 小结第54-56页
第四章 蓝宝石衬底上AlN薄膜外延与性能研究第56-70页
    4.1 引言第56-57页
    4.2 AlN外延的预处理技术第57-63页
        4.2.1 蓝宝石异质外延存在的问题第57-58页
        4.2.2 氮化过程对AlN晶体质量的影响第58-59页
        4.2.3 成核缓冲层对A1N晶体质量的影响第59-63页
    4.3 高温AlN外延薄膜的生长技术第63-68页
        4.3.1 MEE与MMEE技术的差异第63-64页
        4.3.2 优化MMEE方法第64-65页
        4.3.3 掺杂对AlN晶体质量的改善第65-68页
    4.4 小结第68-70页
第五章 铜纳米丝透明欧姆电极的GaN基LED研究第70-90页
    5.1 引言第70-71页
    5.2 超高长径比铜纳米丝的合成第71-79页
        5.2.1 Cu纳米线材料合成的现状和问题第71-73页
        5.2.2 超细超长Cu纳米丝的合成第73-74页
        5.2.3 Cu纳米丝的结构性能表征第74-76页
        5.2.4 Cu纳米丝生长机理第76-79页
    5.3 铜纳米丝透明电极的制作第79-83页
        5.3.1 金属纳米线网络电极制作第79-80页
        5.3.2 实现Cu纳米丝网络的导电第80-81页
        5.3.3 Cu纳米丝电极的透光特性和稳定性第81-83页
    5.4 Cu纳米丝网络透明电极在蓝光LED上的应用第83-88页
        5.4.1 传统GaN基LED电极制作第83-84页
        5.4.2 实现Cu纳米丝电极与GaN导电层的欧姆接触第84-87页
        5.4.3 铜纳米丝透明电极的GaN基LED第87-88页
    5.5 小结第88-90页
第六章 总结与展望第90-93页
参考文献第93-109页
附录 硕士期间发表的论文第109-111页
致谢第111页

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