摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第9-13页 |
第一章 绪论 | 第13-20页 |
1.1 引言 | 第13页 |
1.2 半导体光电子器件的发展与应用 | 第13-15页 |
1.3 氮化物LED的现状与难题 | 第15-17页 |
1.4 解决当前问题的方法 | 第17-18页 |
1.5 论文构架 | 第18-20页 |
第二章 理论计算和实验方法 | 第20-36页 |
2.1 计算模拟原理和方法 | 第21-24页 |
2.1.1 密度泛函理论 | 第21-24页 |
2.1.2 VASP程序包 | 第24页 |
2.2 生长技术 | 第24-27页 |
2.2.1 金属有机物气相外延(MOVPE) | 第24-26页 |
2.2.2 氢化物气相外延(HVPE) | 第26-27页 |
2.3 表征技术 | 第27-36页 |
2.3.1 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
2.3.2 X射线衍射谱(XRD) | 第28-29页 |
2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
2.3.4 光致发光谱(PL) | 第30-31页 |
2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
2.3.6 电致发光(EL) | 第32页 |
2.3.7 拉曼光谱(Raman) | 第32-33页 |
2.3.8 方块电阻测量 | 第33-34页 |
2.3.9 紫外可见分光光度计 | 第34-36页 |
第三章 应力梯度场调控原位GaN厚膜自分离技术 | 第36-56页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 GaN主要晶面分离能与自分离调控技术 | 第37-45页 |
3.2.1 模型构建与计算方法 | 第37-40页 |
3.2.2 GaN各类表面的电子结构性质 | 第40-41页 |
3.2.3 非极性小面的开裂抑制 | 第41-43页 |
3.2.4 GaN极性c面分离能的应变骤变区 | 第43-45页 |
3.3 HVPE生长的GaN厚膜的原位自分离 | 第45-52页 |
3.3.1 失配应力预释放 | 第45-46页 |
3.3.2 梯度应力场在GaN厚膜中的调制 | 第46-47页 |
3.3.3 GaN厚膜原位自分离 | 第47-52页 |
3.4 分离后的GaN自支撑衬底性质 | 第52-54页 |
3.4.1 晶体质量 | 第52-53页 |
3.4.2 蓝宝石衬底的可循环再利用 | 第53-54页 |
3.5 小结 | 第54-56页 |
第四章 蓝宝石衬底上AlN薄膜外延与性能研究 | 第56-70页 |
4.1 引言 | 第56-57页 |
4.2 AlN外延的预处理技术 | 第57-63页 |
4.2.1 蓝宝石异质外延存在的问题 | 第57-58页 |
4.2.2 氮化过程对AlN晶体质量的影响 | 第58-59页 |
4.2.3 成核缓冲层对A1N晶体质量的影响 | 第59-63页 |
4.3 高温AlN外延薄膜的生长技术 | 第63-68页 |
4.3.1 MEE与MMEE技术的差异 | 第63-64页 |
4.3.2 优化MMEE方法 | 第64-65页 |
4.3.3 掺杂对AlN晶体质量的改善 | 第65-68页 |
4.4 小结 | 第68-70页 |
第五章 铜纳米丝透明欧姆电极的GaN基LED研究 | 第70-90页 |
5.1 引言 | 第70-71页 |
5.2 超高长径比铜纳米丝的合成 | 第71-79页 |
5.2.1 Cu纳米线材料合成的现状和问题 | 第71-73页 |
5.2.2 超细超长Cu纳米丝的合成 | 第73-74页 |
5.2.3 Cu纳米丝的结构性能表征 | 第74-76页 |
5.2.4 Cu纳米丝生长机理 | 第76-79页 |
5.3 铜纳米丝透明电极的制作 | 第79-83页 |
5.3.1 金属纳米线网络电极制作 | 第79-80页 |
5.3.2 实现Cu纳米丝网络的导电 | 第80-81页 |
5.3.3 Cu纳米丝电极的透光特性和稳定性 | 第81-83页 |
5.4 Cu纳米丝网络透明电极在蓝光LED上的应用 | 第83-88页 |
5.4.1 传统GaN基LED电极制作 | 第83-84页 |
5.4.2 实现Cu纳米丝电极与GaN导电层的欧姆接触 | 第84-87页 |
5.4.3 铜纳米丝透明电极的GaN基LED | 第87-88页 |
5.5 小结 | 第88-90页 |
第六章 总结与展望 | 第90-93页 |
参考文献 | 第93-109页 |
附录 硕士期间发表的论文 | 第109-111页 |
致谢 | 第111页 |