| 摘要 | 第2-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 碘化汞晶体的结构与相变 | 第9-12页 |
| 1.2.1 HgI_2的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 HgI_2晶体的相变 | 第11-12页 |
| 1.3 溶液法生长HgI_2晶体 | 第12-13页 |
| 1.4 晶体形貌控制 | 第13-16页 |
| 1.4.1 晶体形貌理论 | 第13-14页 |
| 1.4.2 晶体生长过程物理场的作用 | 第14-16页 |
| 1.5 HgI_2研究新方向 | 第16-18页 |
| 1.6 本文的研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 2 实验设备及测试方法 | 第20-23页 |
| 2.1 实验试剂及仪器设备 | 第20-21页 |
| 2.2 实验测试方法 | 第21页 |
| 2.3 实验装置 | 第21-22页 |
| 2.4 模拟软件 | 第22-23页 |
| 3 HgI_2晶体生长单元的确定 | 第23-30页 |
| 3.1 DMSO-H_2O-HgI_2体系 | 第23-25页 |
| 3.2 DMF-HgI_2-H_2O体系 | 第25-26页 |
| 3.3 HgI_2-HI-H_2O体系 | 第26-27页 |
| 3.4 HgCl_2-KI-H_2O体系 | 第27-28页 |
| 3.5 HgI_2晶体生长单元的确定 | 第28-29页 |
| 3.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 4 静电场下碘化汞晶体生长 | 第30-45页 |
| 4.1 HgI_2晶体生长体系的选择 | 第30-35页 |
| 4.1.1 HgI_2-HI-H_2O体系晶体形貌分析 | 第30-32页 |
| 4.1.2 HgCl_2-KI-H_2O体系晶体形貌分析 | 第32-35页 |
| 4.2 溶液中Hg-I配合物的型体分布 | 第35-36页 |
| 4.3 电场强度对HgI_2晶体形貌的影响 | 第36-37页 |
| 4.4 溶质浓度对静电场下HgI_2晶体形貌的影响 | 第37-40页 |
| 4.5 静电场对溶液的作用研究 | 第40-42页 |
| 4.5.1 静电场对水溶液水分子电偶极矩的影响 | 第40-41页 |
| 4.5.2 匀强静电场中电场力做功分析 | 第41-42页 |
| 4.6 静电场对HgI_2晶体生长的作用 | 第42-43页 |
| 4.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 5 亚稳β-HgI_2晶体形貌模拟与相变分析 | 第45-54页 |
| 5.1 亚稳β-HgI_2晶体形貌模拟 | 第45-48页 |
| 5.2 HgI_2晶体生长形貌与模拟形貌对比 | 第48-49页 |
| 5.3 亚稳β-HgI_2晶体相变分析 | 第49-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 6 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
