| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 过渡金属有机化合物的基元反应 | 第8-14页 |
| 1.2.1 配体的配位和解离 | 第8-10页 |
| 1.2.2 氧化加成反应 | 第10-12页 |
| 1.2.3 还原消除反应 | 第12页 |
| 1.2.4 插入反应 | 第12-14页 |
| 1.3 过渡金属催化下的硅氢加成反应的机理 | 第14-20页 |
| 1.3.1 配位加成机理 | 第14-18页 |
| 1.3.1.1 Chalk-Harrod机理 | 第14-15页 |
| 1.3.1.2 Ojima机理(OM) | 第15-16页 |
| 1.3.1.3 Chan机理(CM) | 第16-17页 |
| 1.3.1.4 Hofmann-Gade机理 | 第17-18页 |
| 1.3.2 离子加成机理(Piers机理) | 第18-19页 |
| 1.3.3 自由基加成机理 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第2章 计算方法和基本理论 | 第26-34页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 常用的理论计算方法 | 第27-31页 |
| 2.2.1 从头算计算方法 | 第27-28页 |
| 2.2.2 半经验计算方法 | 第28页 |
| 2.2.3 密度泛函理论方法(DFT) | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第3章 过渡金属氢化物催化羰基硅氢加成反应的机理研究 | 第34-72页 |
| 3.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.2 过渡金属化合物催化氢化硅烷化机理的研究背景 | 第35-41页 |
| 3.2.1 Chalk-Harrod机理 | 第35页 |
| 3.2.2 Toste机理 | 第35-39页 |
| 3.2.3 离子氢化机理 | 第39-41页 |
| 3.3 计算方法 | 第41-42页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第42-65页 |
| 3.4.1 离子的氢化硅烷化机理 | 第42-49页 |
| 3.4.1.1 1A催化下的离子氢化硅烷化路径 | 第42-47页 |
| 3.4.1.2 1B催化下的离子氢化硅烷化路径 | 第47-49页 |
| 3.4.2 小结 | 第49-51页 |
| 3.4.3 羰基预配位路径 | 第51-57页 |
| 3.4.3.1 1A催化氢化硅烷化反应的羰基预先配位路径 | 第51-54页 |
| 3.4.3.2 1B催化氢化硅烷化反应的羰基预先配位路径 | 第54-57页 |
| 3.4.4 小结 | 第57-58页 |
| 3.4.5 其他可能的反应路径 | 第58-60页 |
| 3.4.5.1 1A催化羰基活化的其他可能机制 | 第58-59页 |
| 3.4.5.2 1B催化羰基活化的其他可能机制 | 第59-60页 |
| 3.4.6 1B催化适合羰基预配位路径,而1A不适合的原因 | 第60-63页 |
| 3.4.7 不同理论水平、不同基组对计算结果的影响 | 第63-65页 |
| 3.5 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
