过滤阴极电弧制备铟掺杂氧化镉透明导电薄膜的性能研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第15-34页 |
1.1 课题研究背景 | 第15-16页 |
1.2 透明导电氧化物薄膜概况 | 第16-20页 |
1.2.1 透明导电氧化物薄膜主要材料体系 | 第16-17页 |
1.2.2 透明导电氧化物薄膜常用制备方法 | 第17-19页 |
1.2.3 透明导电氧化物薄膜主要应用领域 | 第19-20页 |
1.3 氧化镉的基本性能 | 第20-21页 |
1.4 氧化镉薄膜的研究现状 | 第21-32页 |
1.4.1 未掺杂氧化镉薄膜 | 第21-26页 |
1.4.2 锡掺杂氧化镉薄膜 | 第26-28页 |
1.4.3 铝掺杂氧化镉薄膜 | 第28页 |
1.4.4 钛掺杂氧化镉薄膜 | 第28-29页 |
1.4.5 镓掺杂氧化镉薄膜 | 第29-30页 |
1.4.6 铟掺杂氧化镉薄膜 | 第30-32页 |
1.5 当前对氧化镉研究存在的主要问题 | 第32-33页 |
1.6 本文主要研究内容 | 第33-34页 |
第2章 薄膜制备及实验方法 | 第34-41页 |
2.1 氧化镉薄膜的制备 | 第34-38页 |
2.1.1 薄膜制备原材料 | 第34页 |
2.1.2 薄膜沉积系统 | 第34-35页 |
2.1.3 薄膜沉积过程 | 第35-37页 |
2.1.4 热处理实验 | 第37-38页 |
2.2 氧化镉薄膜的表征 | 第38-41页 |
2.2.1 厚度表征 | 第38页 |
2.2.2 结构表征 | 第38-39页 |
2.2.3 成分及化学键合表征 | 第39页 |
2.2.4 电学性能表征 | 第39-40页 |
2.2.5 光学性能表征 | 第40-41页 |
第3章 铟掺杂氧化镉薄膜的结构性能 | 第41-60页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 铟掺杂氧化镉薄膜的生长速率 | 第41-43页 |
3.3 铟掺杂氧化镉薄膜的微结构 | 第43-51页 |
3.3.1 铟掺杂氧化镉薄膜的表面形貌 | 第43-46页 |
3.3.2 铟掺杂氧化镉薄膜的晶体结构 | 第46-51页 |
3.4 铟掺杂氧化镉薄膜的成分及化学键合态 | 第51-59页 |
3.4.1 铟掺杂氧化镉薄膜的成分含量 | 第52页 |
3.4.2 铟掺杂氧化镉薄膜的元素化学键合态 | 第52-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 铟掺杂氧化镉薄膜的光电性能 | 第60-85页 |
4.1 引言 | 第60页 |
4.2 铟掺杂氧化镉薄膜的电学性能 | 第60-68页 |
4.2.1 In 掺杂含量的影响 | 第60-62页 |
4.2.2 氧气分压的影响 | 第62-63页 |
4.2.3 衬底温度的影响 | 第63-65页 |
4.2.4 衬底材料的影响 | 第65-68页 |
4.3 铟掺杂氧化镉薄膜的光学性能 | 第68-81页 |
4.3.1 铟掺杂氧化镉薄膜的折射率 | 第69-75页 |
4.3.2 铟掺杂氧化镉薄膜的透过率 | 第75-79页 |
4.3.3 铟掺杂氧化镉薄膜的吸收系数 | 第79-81页 |
4.4 铟掺杂氧化镉薄膜的光电品质因子 | 第81-83页 |
4.5 本章小结 | 第83-85页 |
第5章 热处理对铟掺杂氧化镉薄膜性能的影响 | 第85-97页 |
5.1 引言 | 第85页 |
5.2 铟掺杂氧化镉薄膜结构的变化 | 第85-88页 |
5.3 铟掺杂氧化镉薄膜电学性能的变化 | 第88-91页 |
5.4 铟掺杂氧化镉薄膜光学性能的变化 | 第91-95页 |
5.5 本章小结 | 第95-97页 |
第6章 铟掺杂氧化镉薄膜光电性能的耦合机制 | 第97-120页 |
6.1 引言 | 第97页 |
6.2 铟掺杂氧化镉薄膜的光学带隙 | 第97-102页 |
6.2.1 Tauc 法 | 第97-100页 |
6.2.2 透过率衍生法 | 第100-102页 |
6.3 铟掺杂氧化镉薄膜的电子有效质量 | 第102-108页 |
6.4 铟掺杂氧化镉薄膜的能带特性 | 第108-118页 |
6.4.1 铟掺杂氧化镉薄膜的能带填充效应 | 第108-110页 |
6.4.2 铟掺杂氧化镉薄膜的能带变窄效应 | 第110-116页 |
6.4.3 铟掺杂氧化镉薄膜的费米能级 | 第116-118页 |
6.5 本章小结 | 第118-120页 |
结论 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-136页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第136-139页 |
致谢 | 第139-140页 |
个人简历 | 第140页 |