| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 气敏传感器 | 第10-14页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义与分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 气敏传感器的主要特征参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 气敏传感器的发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.3 多孔硅气敏传感器 | 第14-16页 |
| 1.3.1 多孔硅简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 多孔硅气敏传感器的工作原理 | 第15-16页 |
| 1.3.3 多孔硅气敏传感器的研究现状 | 第16页 |
| 1.4 WO_3气敏传感器 | 第16-20页 |
| 1.4.1 WO_3的晶体结构及性质 | 第16-17页 |
| 1.4.2 WO_3气敏传感器的气敏机理 | 第17-19页 |
| 1.4.3 WO_3气敏传感器的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5 多孔硅基金属氧化物纳米线气敏传感器研究现状 | 第20页 |
| 1.6 本论文的研究目的和内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验过程相关理论 | 第22-32页 |
| 2.1 多孔硅的形成机理及其制备方法 | 第22-25页 |
| 2.1.1 多孔硅的形成机理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 多孔硅的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.2 磁控溅射淀积金属薄膜工作机理 | 第25-26页 |
| 2.3 一维氧化钨纳米材料的制备方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 气相法 | 第26-27页 |
| 2.3.2 液相法 | 第27-28页 |
| 2.3.3 模板法 | 第28-30页 |
| 2.4 一维纳米晶体结构及微观形貌分析技术 | 第30-32页 |
| 2.4.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术 | 第30页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD)分析技术 | 第30-31页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜(TEM)技术 | 第31-32页 |
| 第三章 多孔硅基氧化钨纳米线气敏传感器的制备与性能测试 | 第32-39页 |
| 3.1 实验流程概述 | 第32-33页 |
| 3.2 多孔硅基氧化钨纳米线气敏传感器的制备流程 | 第33-37页 |
| 3.2.1 切割和清洗硅片 | 第33页 |
| 3.2.2 多孔硅的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.3 金属钨薄膜的沉积工艺 | 第34-35页 |
| 3.2.4 管式炉热处理生长氧化钨纳米线工艺 | 第35-36页 |
| 3.2.5 后续退火处理 | 第36页 |
| 3.2.6 电极制备 | 第36-37页 |
| 3.3 微观结构表征 | 第37页 |
| 3.4 气敏性能测试 | 第37-39页 |
| 第四章 多孔硅基氧化钨纳米线气敏传感器制备工艺参数与气敏性能研究 | 第39-64页 |
| 4.1 相关参数对氧化钨纳米线制备的影响 | 第39-54页 |
| 4.1.1 溅射镀膜时间对氧化钨纳米线制备的影响 | 第39-46页 |
| 4.1.2 热处理温度对氧化钨纳米线制备的影响 | 第46-49页 |
| 4.1.3 热处理时间对氧化钨纳米线制备的影响 | 第49-51页 |
| 4.1.4 热处理气氛对氧化钨纳米线制备的影响 | 第51-54页 |
| 4.2 热处理金属钨薄膜制备氧化钨纳米线的生长机理研究 | 第54-57页 |
| 4.3 多孔硅基氧化钨纳米线气敏传感器NO_2敏感性能研究 | 第57-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 后续退火处理对多孔硅基氧化钨纳米线气敏传感器性能影响研究 | 第64-74页 |
| 5.1 样品条件及制备流程设定 | 第64-65页 |
| 5.2 退火工艺对氧化钨纳米线的影响 | 第65-69页 |
| 5.2.1 常规退火对氧化钨纳米线的影响 | 第65-67页 |
| 5.2.2 快速退火对氧化钨纳米线的影响 | 第67-69页 |
| 5.3 样品NO_2敏感性能研究 | 第69-73页 |
| 5.3.1 常规退火样品的NO_2敏感性能研究 | 第69-72页 |
| 5.3.2 快速退火样品的NO_2气敏性能研究 | 第72-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-77页 |
| 6.1 总结与讨论 | 第74-75页 |
| 6.2 工作展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第83-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
