| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 压力传感器研究现状 | 第9-23页 |
| 1.1.1 扩散硅压力传感器研究现状 | 第9-13页 |
| 1.1.2 多晶硅压力传感器研究现状 | 第13-17页 |
| 1.1.3 新型材料、新型结构压力传感器研究现状 | 第17-23页 |
| 1.2 纳米硅薄膜晶体管压力传感器研究目的和意义 | 第23-24页 |
| 1.2.1 研究目的 | 第23-24页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第24页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 纳米硅薄膜晶体管压力传感器基本结构与工作原理 | 第26-33页 |
| 2.1 纳米硅薄膜晶体管压力传感器基本结构 | 第26页 |
| 2.2 纳米硅薄膜晶体管压力传感器工作原理 | 第26-32页 |
| 2.2.1 压阻效应 | 第27-29页 |
| 2.2.2 纳米硅薄膜晶体管工作原理 | 第29-31页 |
| 2.2.3 纳米硅薄膜晶体管压力传感器工作原理 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 纳米硅薄膜晶体管压力传感器芯片结构设计 | 第33-49页 |
| 3.1 硅膜片应力分析及硅膜形状选择 | 第33-45页 |
| 3.1.1 圆形硅膜应力分析 | 第33-37页 |
| 3.1.2 方形硅膜应力分析 | 第37-42页 |
| 3.1.3 硅膜形状选择 | 第42-43页 |
| 3.1.4 芯片结构模拟仿真 | 第43-45页 |
| 3.2 电阻布局 | 第45-46页 |
| 3.3 硅杯结构设计 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 纳米硅薄膜晶体管压力传感器芯片制作与封装 | 第49-54页 |
| 4.1 纳米硅薄膜晶体管压力传感器芯片版图 | 第49页 |
| 4.2 纳米硅薄膜晶体管压力传感器芯片制作工艺 | 第49-51页 |
| 4.3 纳米硅薄膜晶体管压力传感器芯片封装 | 第51-53页 |
| 4.3.1 硼硅玻璃片制作 | 第51-52页 |
| 4.3.2 芯片封装 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 实验结果与分析 | 第54-84页 |
| 5.1 纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性 | 第54页 |
| 5.2 纳米硅薄膜晶体管压力传感器压敏特性 | 第54-74页 |
| 5.2.1 纳米硅薄膜晶体管尺寸及分布位置对传感器压敏特性影响 | 第55-69页 |
| 5.2.2 硅膜厚度对传感器压敏特性影响 | 第69-74页 |
| 5.3 纳米硅薄膜晶体管压力传感器静态特性 | 第74-82页 |
| 5.3.1 线性度 | 第74-77页 |
| 5.3.2 重复性 | 第77-78页 |
| 5.3.3 迟滞 | 第78-80页 |
| 5.3.4 准确度 | 第80-81页 |
| 5.3.5 灵敏度 | 第81-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第93页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第93页 |
| 攻读学位期间申请发明专利 | 第93页 |