| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-12页 |
| 2 研究背景 | 第12-40页 |
| 2.1 纳米材料与纳米技术 | 第12-13页 |
| 2.2 ZnO纳米材料概述 | 第13-19页 |
| 2.2.1 ZnO纳米材料的种类及形貌 | 第14页 |
| 2.2.2 ZnO纳米线/棒的制备 | 第14-19页 |
| 2.3 ZnO纳米材料的性能 | 第19-25页 |
| 2.3.1 ZnO纳米材料力学性能 | 第19-22页 |
| 2.3.2 ZnO纳米材料的光学性能 | 第22-24页 |
| 2.3.3 ZnO纳米材料的压电性能 | 第24-25页 |
| 2.4 ZnO纳米材料压电性能的器件应用 | 第25-34页 |
| 2.4.1 ZnO纳米压电发电机 | 第25-30页 |
| 2.4.2 ZnO纳米压电电子器件 | 第30-32页 |
| 2.4.3 ZnO纳米压电光电子器件 | 第32-34页 |
| 2.5 ZnO纳米材料及器件的损伤与失效 | 第34-39页 |
| 2.5.1 ZnO纳米材料及器件的力学损伤 | 第35-37页 |
| 2.5.2 ZnO纳米材料及器件的力电耦合损伤 | 第37-39页 |
| 2.6 研究目的与内容 | 第39-40页 |
| 3 ZnO纳米材料的制备与表征 | 第40-65页 |
| 3.1 化学气相沉积法制备ZnO纳米线 | 第40-44页 |
| 3.2 水热生长法制备ZnO纳米棒阵列 | 第44-50页 |
| 3.2.1 一维ZnO纳米棒阵列的水热合成与表征 | 第44-46页 |
| 3.2.2 添加剂与生长次数对ZnO纳米棒阵列性能的影响 | 第46-50页 |
| 3.3 水热生长法制备钒元素掺杂ZnO纳米棒阵列 | 第50-58页 |
| 3.3.1 钒掺杂ZnO纳米棒阵列的水热制备与表征 | 第50-54页 |
| 3.3.2 钒掺杂ZnO纳米棒压电系数测量与分析 | 第54-58页 |
| 3.4 激光限域生长法制备图案化ZnO纳米棒阵列 | 第58-64页 |
| 3.4.1 双光束激光干涉法制备图案化光刻胶模板 | 第58-61页 |
| 3.4.2 图案化ZnO纳米棒阵列的制备和表征 | 第61-64页 |
| 3.5 小结 | 第64-65页 |
| 4 力场/光场耦合对ZnO纳米棒电输运性能调控研究 | 第65-75页 |
| 4.1 图案化ZnO纳米棒阵列的制备与表征 | 第65-67页 |
| 4.2 不同极性面ZnO纳米棒力电耦合性能测试 | 第67-72页 |
| 4.3 ZnO纳米棒力光电耦合性能表征及原理 | 第72-74页 |
| 4.4 小结 | 第74-75页 |
| 5 应力场对第Ⅰ类异质结界面调控研究 | 第75-90页 |
| 5.1 应力场对半导体/溶液界面调控研究 | 第76-83页 |
| 5.1.1 ZnO/溶液异质结自驱动光探测器的构建与表征 | 第76-79页 |
| 5.1.2 应力场调控自驱动光探测器性能及原理 | 第79-82页 |
| 5.1.3 小结 | 第82-83页 |
| 5.2 应力场对ZnO/PEDOT：PSS异质结界面调控研究 | 第83-90页 |
| 5.2.1 ZnO/PEDOT：PSS异质结的构建及性能测试 | 第83-86页 |
| 5.2.2 应力场调控ZnO/PEDOT：PSS异质结光电性能及原理 | 第86-89页 |
| 5.2.3 小结 | 第89-90页 |
| 6 应力场对第Ⅱ类异质结界面调控研究 | 第90-101页 |
| 6.1 ZnO/Cu_2O半导体pn异质结的制备 | 第91-92页 |
| 6.2 ZnO/Cu_2O半导体pn异质结的形貌与光学性能表征 | 第92-94页 |
| 6.3 ZnO/Cu_2O半导体pn异质结光响应性能测试 | 第94-95页 |
| 6.4 应力场调控ZnO/Cu_2O异质结光电性能及原理 | 第95-100页 |
| 6.5 小结 | 第100-101页 |
| 7 光场下ZnO压电电子应力传感器的服役行为研究 | 第101-110页 |
| 7.1 ZnO压电电子应力传感器的构建与表征 | 第101-103页 |
| 7.2 ZnO压电电子应力传感器的性能测试 | 第103-105页 |
| 7.3 ZnO应力传感器在紫外光场下的性能演变及原理 | 第105-109页 |
| 7.4 小结 | 第109-110页 |
| 8 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-127页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第127-129页 |
