| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-34页 |
| 2.1 引言 | 第14-15页 |
| 2.2 稀土Er的基本性质、光学性能及应用 | 第15-17页 |
| 2.2.1 稀土Er的基本性质 | 第15-16页 |
| 2.2.2 稀土Er的光学性能及应用 | 第16-17页 |
| 2.3 Er掺杂TiO_2基发光材料的研究进展 | 第17-34页 |
| 2.3.1 TiO_2的基本性质及光学性能 | 第17-21页 |
| 2.3.2 Er掺杂TiO_2基发光材料的研究进展 | 第21-34页 |
| 第三章 材料和器件的制备及表征方法 | 第34-38页 |
| 3.1 材料和器件的制备设备 | 第34-35页 |
| 3.1.1 智能型磁控溅射设备 | 第34页 |
| 3.1.2 薄膜热处理设备 | 第34页 |
| 3.1.3 直流磁控溅射设备 | 第34页 |
| 3.1.4 反应离子刻蚀机设备 | 第34-35页 |
| 3.2 材料和器件的制备工艺 | 第35-36页 |
| 3.2.1 硅衬底的准备 | 第35页 |
| 3.2.2 发光层薄膜的制备 | 第35页 |
| 3.2.3 发光层薄膜的热处理及氩等离子体处理 | 第35页 |
| 3.2.4 器件电极的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 材料和器件的测试表征设备 | 第36-38页 |
| 3.3.1 薄膜的形貌、结构及组成的表征设备 | 第36-37页 |
| 3.3.2 器件的光学性能测试设备 | 第37页 |
| 3.3.3 器件的电学性能测试设备 | 第37-38页 |
| 第四章 基于经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第38-54页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 经过不同温度热处理的Er掺杂TiO_2薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 4.3 基于不同Er含量的TiO_2:Er薄膜的PL和EL的对比 | 第40-41页 |
| 4.4 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的表征 | 第41-47页 |
| 4.4.1 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的XRD谱 | 第41页 |
| 4.4.2 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的Raman光谱 | 第41-42页 |
| 4.4.3 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的SEM形貌 | 第42-43页 |
| 4.4.4 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的TEM图 | 第43-44页 |
| 4.4.5 经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的PL谱 | 第44-47页 |
| 4.5 基于经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的异质结器件的电致发光 | 第47-51页 |
| 4.5.1 基于经过不同温度热处理的TiO_2:Er薄膜的异质结器件的Ⅳ曲线 | 第47页 |
| 4.5.2 正向偏压下异质结器件的电致发光对比 | 第47-50页 |
| 4.5.3 反向偏压下异质结器件的电致发光对比 | 第50-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 氩等离子体处理对TiO＿2/p~+-Si异质结器件的电致发光的影响 | 第54-60页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2薄膜的制备 | 第54-55页 |
| 5.3 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2薄膜的表征 | 第55-58页 |
| 5.3.1 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2薄膜的XRD谱 | 第55-56页 |
| 5.3.2 未经过和经过心等离子体处理的TiO_2薄膜的Raman光谱 | 第56-57页 |
| 5.3.3 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2薄膜的PL谱 | 第57-58页 |
| 5.4 基于未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2薄膜的异质结器件的电致发光 | 第58-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 氩等离子体处理对TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光的影响 | 第60-72页 |
| 6.1 引言 | 第60页 |
| 6.2 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的制备 | 第60-61页 |
| 6.3 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的表征 | 第61-67页 |
| 6.3.1 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的XRD谱 | 第61-62页 |
| 6.3.2 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的Raman光谱 | 第62-63页 |
| 6.3.3 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的SEM图 | 第63-64页 |
| 6.3.4 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的XPS图谱 | 第64-65页 |
| 6.3.5 未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的PL谱 | 第65-67页 |
| 6.4 基于未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的异质结器件的EL | 第67-70页 |
| 6.4.1 基于未经过和经过Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的异质结器件的EL对比 | 第67-68页 |
| 6.4.2 基于不同功率的Ar等离子体处理的TiO_2:Er薄膜的异质结器件的EL的对比 | 第68-70页 |
| 6.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第七章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 个人简历 | 第82-84页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第84页 |
