单粒子效应瞬态电荷收集的试验研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第14-28页 |
1.1 空间辐射环境 | 第14-16页 |
1.2 空间辐射效应 | 第16-17页 |
1.3 单粒子效应 | 第17-23页 |
1.3.1 单粒子效应机理 | 第17页 |
1.3.2 单粒子效应分类 | 第17-18页 |
1.3.3 地面模拟试验 | 第18-23页 |
1.4 单粒子效应仿真方法 | 第23-25页 |
1.5 单粒子效应收集电荷测量研究现状 | 第25-27页 |
1.6 本文研究工作及组织结构 | 第27-28页 |
第2章 单粒子效应电荷收集原理 | 第28-34页 |
2.1 电荷的产生原理 | 第28-32页 |
2.1.1 重离子与半导体的相互作用 | 第28-30页 |
2.1.2 激光与半导体的相互作用 | 第30-32页 |
2.2 单粒子效应电荷的收集过程 | 第32-33页 |
2.3 单粒子效应收集电荷测量手段 | 第33-34页 |
第3章 SRAM器件的电荷收集试验 | 第34-46页 |
3.1 电荷脉冲幅度谱测量原理 | 第34-36页 |
3.1.1 电荷灵敏型前置放大器 | 第34-35页 |
3.1.2 主放大器 | 第35-36页 |
3.2 电荷脉冲幅度谱测试装置 | 第36-38页 |
3.3 被测器件及其试验条件 | 第38-39页 |
3.4 测试电路及试验方法 | 第39页 |
3.5 电荷测量收集原理 | 第39-40页 |
3.6 电荷测量收集实验 | 第40-43页 |
3.6.1 电荷测量收集中的噪声 | 第41-42页 |
3.6.2 电荷测量收集中的校准 | 第42-43页 |
3.7 试验结果 | 第43-45页 |
3.8 小结 | 第45-46页 |
第4章 BJT器件的电荷脉冲收集 | 第46-60页 |
4.1 试验装置 | 第46-47页 |
4.1.1 试验仪器设备 | 第46页 |
4.1.2 试验装置原理框图 | 第46-47页 |
4.2 被测器件及其试验条件 | 第47-48页 |
4.3 实验方法 | 第48-49页 |
4.4 影响因素分析 | 第49-55页 |
4.4.1 针对晶体管不同极之间及不同位置的试验 | 第50-51页 |
4.4.2 不同激光能量不同晶体管的试验 | 第51-53页 |
4.4.3 不同激光聚焦深度的试验 | 第53-54页 |
4.4.4 不同偏置条件的试验 | 第54-55页 |
4.5 脉冲分布图 | 第55-56页 |
4.6 器件最敏感部位SET特征分析 | 第56-58页 |
4.7 小结 | 第58-60页 |
第5章 SET的脉冲防护与加固 | 第60-72页 |
5.1 仿真实验 | 第60-66页 |
5.1.1 实验与仿真中不同晶体管的映射关系 | 第60-61页 |
5.1.2 仿真波形与实验的联系与差别 | 第61-62页 |
5.1.3 SET脉冲的减缓电路设计 | 第62-66页 |
5.2 滤波电路试验验证 | 第66-70页 |
5.2.1 直流输入情况分析 | 第66页 |
5.2.2 交流输入情况分析 | 第66-69页 |
5.2.3 减缓电路的其他问题 | 第69-70页 |
5.3 小结 | 第70-72页 |
第6章 总结和展望 | 第72-74页 |
6.1 总结 | 第72-73页 |
6.2 展望 | 第73-74页 |
第7章 参考文献 | 第74-78页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第78-80页 |
致谢 | 第80页 |