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单粒子效应瞬态电荷收集的试验研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第14-28页
    1.1 空间辐射环境第14-16页
    1.2 空间辐射效应第16-17页
    1.3 单粒子效应第17-23页
        1.3.1 单粒子效应机理第17页
        1.3.2 单粒子效应分类第17-18页
        1.3.3 地面模拟试验第18-23页
    1.4 单粒子效应仿真方法第23-25页
    1.5 单粒子效应收集电荷测量研究现状第25-27页
    1.6 本文研究工作及组织结构第27-28页
第2章 单粒子效应电荷收集原理第28-34页
    2.1 电荷的产生原理第28-32页
        2.1.1 重离子与半导体的相互作用第28-30页
        2.1.2 激光与半导体的相互作用第30-32页
    2.2 单粒子效应电荷的收集过程第32-33页
    2.3 单粒子效应收集电荷测量手段第33-34页
第3章 SRAM器件的电荷收集试验第34-46页
    3.1 电荷脉冲幅度谱测量原理第34-36页
        3.1.1 电荷灵敏型前置放大器第34-35页
        3.1.2 主放大器第35-36页
    3.2 电荷脉冲幅度谱测试装置第36-38页
    3.3 被测器件及其试验条件第38-39页
    3.4 测试电路及试验方法第39页
    3.5 电荷测量收集原理第39-40页
    3.6 电荷测量收集实验第40-43页
        3.6.1 电荷测量收集中的噪声第41-42页
        3.6.2 电荷测量收集中的校准第42-43页
    3.7 试验结果第43-45页
    3.8 小结第45-46页
第4章 BJT器件的电荷脉冲收集第46-60页
    4.1 试验装置第46-47页
        4.1.1 试验仪器设备第46页
        4.1.2 试验装置原理框图第46-47页
    4.2 被测器件及其试验条件第47-48页
    4.3 实验方法第48-49页
    4.4 影响因素分析第49-55页
        4.4.1 针对晶体管不同极之间及不同位置的试验第50-51页
        4.4.2 不同激光能量不同晶体管的试验第51-53页
        4.4.3 不同激光聚焦深度的试验第53-54页
        4.4.4 不同偏置条件的试验第54-55页
    4.5 脉冲分布图第55-56页
    4.6 器件最敏感部位SET特征分析第56-58页
    4.7 小结第58-60页
第5章 SET的脉冲防护与加固第60-72页
    5.1 仿真实验第60-66页
        5.1.1 实验与仿真中不同晶体管的映射关系第60-61页
        5.1.2 仿真波形与实验的联系与差别第61-62页
        5.1.3 SET脉冲的减缓电路设计第62-66页
    5.2 滤波电路试验验证第66-70页
        5.2.1 直流输入情况分析第66页
        5.2.2 交流输入情况分析第66-69页
        5.2.3 减缓电路的其他问题第69-70页
    5.3 小结第70-72页
第6章 总结和展望第72-74页
    6.1 总结第72-73页
    6.2 展望第73-74页
第7章 参考文献第74-78页
攻读学位期间发表的学术论文第78-80页
致谢第80页

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