开关三极管抗过电损伤能力的提高与实现
| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 EOS研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2 EOS失效的特征 | 第12-14页 |
| 1.2.1 ESD造成的失效 | 第12-13页 |
| 1.2.2 EOS失效 | 第13页 |
| 1.2.3 电迁移现象 | 第13-14页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 开关三极管设计的优化 | 第16-30页 |
| 2.1 样品开盖分析 | 第16-18页 |
| 2.1.1 检测原则 | 第16页 |
| 2.1.2 失效点的电性定位 | 第16-17页 |
| 2.1.3 失效点物理验证 | 第17-18页 |
| 2.2 开关三极管设计优化 | 第18-22页 |
| 2.2.1 版图布局 | 第18-20页 |
| 2.2.2 开关三极管工作原理 | 第20页 |
| 2.2.3 版图布局优化后测试结果 | 第20-22页 |
| 2.3 发射极SIO_2膜优化 | 第22-28页 |
| 2.3.1 二氧化硅的性质 | 第22-23页 |
| 2.3.2 二氧化硅薄膜的介面特性 | 第23-24页 |
| 2.3.3 SiO_2膜的生长方式 | 第24-26页 |
| 2.3.4 化学气相沉积法 | 第26页 |
| 2.3.5 氧化膜优化后测试结果 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 封装工艺的优化 | 第30-57页 |
| 3.1 分立半导体的封装工艺 | 第30-31页 |
| 3.2 MOLDING的优化 | 第31-46页 |
| 3.2.1 Molding工艺的发展 | 第31-32页 |
| 3.2.2 塑封体分层的原理 | 第32-33页 |
| 3.2.3 环氧树脂成分的调整 | 第33-37页 |
| 3.2.4 模机参数的调整 | 第37-40页 |
| 3.2.5 塑封料优化后测试结果 | 第40-43页 |
| 3.2.6 V型槽设计 | 第43-45页 |
| 3.2.7 塑封工艺优化后的测试结果 | 第45-46页 |
| 3.3 DIE BONDING的优化 | 第46-55页 |
| 3.3.1 共晶焊技术 | 第46-47页 |
| 3.3.2 全自动贴片机 | 第47-48页 |
| 3.3.3 共晶焊接关键参数 | 第48-50页 |
| 3.3.4 共晶焊空洞改善 | 第50-54页 |
| 3.3.5 焊接工艺优化后的测试结果 | 第54-55页 |
| 3.4 开关性能验证 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 可靠性认证 | 第57-71页 |
| 4.1 可靠性的定义 | 第57页 |
| 4.2 可靠性工程的发展 | 第57-59页 |
| 4.3 可靠性的应用意义 | 第59页 |
| 4.4 分立器件可靠性项目 | 第59-62页 |
| 4.5 可靠性测试结果 | 第62-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 5.1 工作总结 | 第71-72页 |
| 5.2 工作展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
