| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 本论文主要研究内容 | 第9-11页 |
| 1.1.1 ZnO薄膜 | 第9页 |
| 1.1.2 MgZnO薄膜 | 第9页 |
| 1.1.3 NaMgZnO薄膜 | 第9-11页 |
| 1.2 本文各章节的主要内容 | 第11-12页 |
| 2 ZnO综述 | 第12-29页 |
| 2.1 ZnO的基本性质 | 第12-13页 |
| 2.1.1 ZnO的物理性质 | 第12页 |
| 2.1.2 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| 2.2 ZnO纳米材料的应用 | 第13-14页 |
| 2.2.1 ZnO的特性及相关应用 | 第13-14页 |
| 2.3 ZnO的本征缺陷、极性掺杂及Mg掺杂 | 第14-16页 |
| 2.3.1 ZnO材料的本征缺陷 | 第14-15页 |
| 2.3.2 ZnO材料的P型掺杂 | 第15页 |
| 2.3.3 ZnO材料的N型掺杂 | 第15-16页 |
| 2.3.4 MgZnO复合薄膜 | 第16页 |
| 2.4 ZnO纳米薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.4.1 化学气相沉积法(CVD) | 第16页 |
| 2.4.2 分子束外延工艺(MBE) | 第16-17页 |
| 2.4.3 脉冲激光沉积工艺(PLD) | 第17页 |
| 2.4.4 溅射法 | 第17页 |
| 2.4.5 超声喷雾热解法(USP) | 第17页 |
| 2.4.6 溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel) | 第17-18页 |
| 2.4.7 其它工艺 | 第18页 |
| 2.5 溶胶凝胶工艺简介 | 第18-20页 |
| 2.5.1 溶胶-凝胶工艺成膜特点 | 第18-19页 |
| 2.5.2 胶体的制备机理 | 第19页 |
| 2.5.3 凝胶的形成过程 | 第19-20页 |
| 2.6 溶胶-凝胶制膜方法 | 第20-22页 |
| 2.6.1 旋转涂覆法 | 第20-21页 |
| 2.6.2 喷涂法 | 第21页 |
| 2.6.3 浸渍提拉法 | 第21-22页 |
| 2.7 氧化锌纳米薄膜的制备过程 | 第22-24页 |
| 2.7.1 实验所用仪器 | 第22页 |
| 2.7.2 实验所用药品 | 第22-23页 |
| 2.7.3 基底的清洗 | 第23页 |
| 2.7.4 NaMgZnO复合薄膜的实验方案 | 第23-24页 |
| 2.7.5 NaMgZnO复合薄膜的制备流程 | 第24页 |
| 2.8 样品的表征 | 第24-29页 |
| 2.8.1 晶体结构的表征 | 第24-25页 |
| 2.8.2 表面形貌的表征 | 第25-26页 |
| 2.8.3 光致发光性能的表征 | 第26-27页 |
| 2.8.4 光透过性能的表征 | 第27页 |
| 2.8.5 样品表征所用仪器设备 | 第27-29页 |
| 3 ZnO薄膜与MgZnO薄膜的性能表征 | 第29-38页 |
| 3.1 ZnO薄膜的表征 | 第29-33页 |
| 3.1.1 溶胶-凝胶法制备本征ZnO薄膜的反应机理 | 第29-30页 |
| 3.1.2 溶胶-凝胶法制备本征ZnO薄膜的实验方案 | 第30页 |
| 3.1.3 退火温度对本征ZnO薄膜结构性能的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.4 不同旋涂次数对ZnO薄膜结构性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.5 本节小结 | 第33页 |
| 3.2 Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜的表征 | 第33-38页 |
| 3.2.2 Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜的晶格结构 | 第33-35页 |
| 3.2.3 Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜的光致发光性能 | 第35页 |
| 3.2.4 Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜的光透过性能 | 第35-37页 |
| 3.2.5 本节小结 | 第37-38页 |
| 4 NaMgZnO薄膜性能表征 | 第38-46页 |
| 4.1 Na_yMg_(0.2)Zn_(0.8-y)O复合薄膜的晶体结构 | 第38-40页 |
| 4.2 Na_yMg_(0.2)Zn_(0.8-y)O复合薄膜的表面形貌 | 第40-43页 |
| 4.3 Na_yMg_(0.2)Zn_(0.8-y)O复合薄膜的光致发光性能 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 结论与展望 | 第46-47页 |
| 5.1 结论 | 第46页 |
| 5.2 展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
