| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 纳米ZnO材料的特性 | 第10-14页 |
| 1.2 纳米ZnO材料的研究现状及应用前景 | 第14-16页 |
| 1.3 场效应晶体管(FET)的研究现状 | 第16-22页 |
| 1.3.1 晶体管器件的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.3.2 ZnO纳米线FET的研究现状及存在的问题 | 第19-22页 |
| 1.4 本论文的研究意义与创新点 | 第22-24页 |
| 2 ZNO半导体纳米线的制备及表征 | 第24-32页 |
| 2.1 ZnO纳米线的制备方法 | 第24-26页 |
| 2.1.1 水热法制备ZnO纳米线 | 第24-25页 |
| 2.1.2 气相沉积法 | 第25-26页 |
| 2.2 ZnO纳米线的制备 | 第26-28页 |
| 2.3 ZNO纳米线的分析与表征 | 第28-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD)基本原理与测试结果 | 第28-30页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)基本原理及测试结果 | 第30页 |
| 2.3.3 光致发光(PL)基本原理及测试结果 | 第30-32页 |
| 3 ZnO纳米线FET器件的制备及I-V特性分析 | 第32-45页 |
| 3.1 ZnO场效应晶体管的介绍 | 第32-33页 |
| 3.1.1 ZnO场效应晶体管的结构 | 第32-33页 |
| 3.1.2 ZnO FET的特点 | 第33页 |
| 3.2 ZnO FET的制备 | 第33-35页 |
| 3.2.1 ZnO纳米线的分离 | 第33-34页 |
| 3.2.2 基底的制备 | 第34页 |
| 3.2.3 SiO_2层的制备 | 第34页 |
| 3.2.4 蒸镀金属膜、刻蚀 | 第34页 |
| 3.2.5 ZnO纳米场效应晶体管的制备 | 第34-35页 |
| 3.3 I-V特性曲线研究 | 第35-45页 |
| 3.3.1 单根ZnO纳米线的I-V特性 | 第35-36页 |
| 3.3.2 场效应晶体管的典型的I-V特性 | 第36-37页 |
| 3.3.3 不同沟道宽度的ZnO FET的I-V特性 | 第37-38页 |
| 3.3.4 不同直径ZnO FET的I-V特性 | 第38-39页 |
| 3.3.5 不同金属电极ZnO FET的I-V特性 | 第39-41页 |
| 3.3.6 不同偏压对ZnO FET I-V特性的影响 | 第41-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士期间论文发表情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
