| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 国内外相关领域研究进展 | 第11-25页 |
| 1.1 光催化技术研究进展 | 第11-18页 |
| 1.1.1 半导体光催化原理 | 第11-13页 |
| 1.1.2 TiO_2光催化技术存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.1.3 提高光催化材料性能的途径 | 第14-18页 |
| 1.2 硅纳米材料在光催化领域的研究 | 第18-20页 |
| 1.2.1 硅纳米材料简介 | 第18页 |
| 1.2.2 硅纳米线的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.2.3 硅纳米材料存在的问题及保护方法 | 第19-20页 |
| 1.3 石墨相氮化碳（g-C_3N_4）在光催化领域的研究 | 第20-22页 |
| 1.3.1 石墨相氮化碳（g-C_3N_4）简介 | 第20-21页 |
| 1.3.2 石墨相氮化碳量子点（g-C_3N_4 QDs）的制备方法 | 第21-22页 |
| 1.3.3 石墨相氮化碳量子点(g-C_3N_4 QDs)的应用 | 第22页 |
| 1.4 选题的背景、目的、研究内容和研究意义 | 第22-25页 |
| 1.4.1 选题背景和研究目的 | 第22-23页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第23页 |
| 1.4.3 研究意义 | 第23-25页 |
| 2 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的制备及其光电催化性能研究 | 第25-43页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-31页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第26页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.2.3 g-C_3N_4 QDs的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的制备 | 第28-30页 |
| 2.2.5 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的表征 | 第30页 |
| 2.2.6 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的光电化学测试 | 第30页 |
| 2.2.7 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的光电催化降解实验 | 第30-31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-42页 |
| 2.3.1 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的形貌分析 | 第31-33页 |
| 2.3.2 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的光学性质分析 | 第33-34页 |
| 2.3.3 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的晶型及表面成分分析 | 第34-36页 |
| 2.3.4 g-C_3N_4 QDs/TNTAs的光电化学性质分析 | 第36-39页 |
| 2.3.5 光电催化降解苯酚实验结果分析 | 第39-40页 |
| 2.3.6 光电催化降解苯酚实验机理分析 | 第40-42页 |
| 2.4 结论 | 第42-43页 |
| 3 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的制备及其光电催化性能研究 | 第43-56页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-47页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第43-44页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第44-45页 |
| 3.2.3 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的制备 | 第45-46页 |
| 3.2.4 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的表征 | 第46页 |
| 3.2.5 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的光电化学测试 | 第46页 |
| 3.2.6 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的光电催化降解实验 | 第46-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-54页 |
| 3.3.1 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的形貌分析 | 第47-49页 |
| 3.3.2 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的表面成分分析 | 第49-50页 |
| 3.3.3 SiNWs@g-C_3N_4 QDs的光电化学性质分析 | 第50-52页 |
| 3.3.4 SiNWs@g-C_3N_4 QD的光电催化脱氯实验结果分析 | 第52-54页 |
| 3.4 结论 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
