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半导体、冷原子、过渡金属硫化物及超导中自旋、谷极化及Bogoliubov准粒子的动力学研究

摘要第4-9页
abstract第9-14页
第一部分第23-143页
    第一章 半导体自旋电子学介绍第25-74页
        1.1 自旋电子学简介第25-27页
        1.2 自旋极化的产生第27-37页
            1.2.1 光学取向第27-28页
            1.2.2 自旋的电学注入第28-29页
            1.2.3 自旋泵浦第29-31页
            1.2.4 自旋霍尔效应第31-37页
        1.3 自旋极化的探测第37-45页
            1.3.1 光学方法第38-43页
            1.3.2 电学方法第43-45页
        1.4 自旋极化的弛豫第45-57页
            1.4.1 Elliot-Yafet机制第45-47页
            1.4.2 D'yakonov-Perel'机制第47-51页
            1.4.3 Bir-Aronov-Pikus机制第51-54页
            1.4.4 半导体体材料和量子阱中三种自旋弛豫机制效率比较第54-57页
        1.5 自旋极化的稳态扩散第57-59页
            1.5.1 漂移-扩散模型第57-58页
            1.5.2 非均匀扩展图景第58-59页
            1.5.3 模型的适用性第59页
        1.6 超冷原子体系对半导体自旋动力学的模拟第59-74页
            1.6.1 超冷原子系统简介第59-65页
            1.6.2 自旋轨道耦合的超冷原子第65-70页
            1.6.3 超冷原子系统对自旋动力学的模拟第70-74页
    第二章 大塞曼劈裂下反常D'yakonov-Perel'自旋弛豫第74-99页
        2.1 自旋轨道耦合的40K冷原子气体的自旋弛豫第75-87页
            2.1.1 模型和哈密顿量第75-76页
            2.1.2 解析结果第76-82页
            2.1.3 数值结果第82-86页
            2.1.4 小结第86-87页
        2.2 InAs(110)量子阱在平面内强磁场下的反常D'yakonov-Perel'自旋弛豫第87-99页
            2.2.1 背景介绍和模型第87-88页
            2.2.2 弱的HF有效磁场第88-93页
            2.2.3 强的HF有效磁场第93-97页
            2.2.4 小结第97-99页
    第三章 自旋轨道耦合的超冷~(40)K原子气中的自旋扩散第99-126页
        3.1 冷原子中自旋扩散的构型第99-101页
        3.2 模型和KSBEs第101-103页
        3.3 解析结果第103-115页
            3.3.1 沿(?)-方向的自旋扩散第104-110页
            3.3.2 沿(?)-方向的自旋扩散第110-115页
        3.4 数值结果第115-123页
            3.4.1 散射强度依赖第116-119页
            3.4.2 塞曼场依赖第119-121页
            3.4.3 自旋轨道耦合强度依赖第121-123页
        3.5 小结与讨论第123-126页
    第四章 本征锗中热电子效应对电学注入电子自旋弛豫的影响第126-143页
        4.1 本征锗中对EY自旋弛豫的研究进展第126-129页
        4.2 模型和KSBEs第129-132页
        4.3 结果第132-140页
            4.3.1 解析结果第132-135页
            4.3.2 数值结果第135-140页
        4.4 小结第140-143页
第二部分第143-239页
    第五章 单双层过渡金属硫属化物中谷动力学的研究进展第145-180页
        5.1 单层过渡金属硫属化物的结构第145-149页
            5.1.1 对称性及能带结构第145-147页
            5.1.2 谷的手征光学选择定则第147-149页
        5.2 单层过渡金属硫属化物中谷动力学第149-170页
            5.2.1 与自由载流子相关的谷动力学第150-154页
            5.2.2 与激子相关的谷动力学第154-168页
            5.2.3 与荷电激子相关的谷动力学第168-170页
        5.3 双层过渡金属硫属化物的结构第170-173页
        5.4 双层过渡金属硫属化物中光学荧光动力学第173-176页
            5.4.1 双层过渡金属硫属化物中光激发谱第174-175页
            5.4.2 光学荧光的极化动力学第175-176页
        5.5 过渡金属硫属化物异质结以及电荷转移动力学第176-180页
            5.5.1 过渡金属硫属化物异质结的能带结构第176-177页
            5.5.2 电荷转移动力学第177-180页
    第六章 单层MoS_2中谷间和谷内电子-空穴交换相互作用引起的谷去极化第180-191页
        6.1 模型和解析结果第180-186页
            6.1.1 模型第180-181页
            6.1.2 激子哈密顿量第181-183页
            6.1.3 单层MoS_2中激子长程交换相互作用第183-184页
            6.1.4 单层MoS_2中激子短程交换相互作用第184-185页
            6.1.5 物理图像以及对交换相互作用的对称性分析第185-186页
        6.2 由谷间电子-空穴交换相互作用引起的谷去极化第186-190页
            6.2.1 模型和KSBEs第186-188页
            6.2.2 结果第188-190页
        6.3 小结和讨论第190-191页
    第七章 双层WS_2中的光激发谱以及光去极化动力学第191-209页
        7.1 模型和解析结果第191-199页
            7.1.1 双层WS_2中的Excimer态第192-195页
            7.1.2 Exciner态之间的交换相互作用第195-199页
        7.2 由电子-空穴交换相互作用引起的光学荧光去极化第199-207页
            7.2.1 模型和KSBEs第199-201页
            7.2.2 泵浦-探测构型中光学荧光去极化动力学第201-204页
            7.2.3 稳态密度矩阵p_s(P)的推导第204-207页
        7.3 小结和讨论第207-209页
    第八章 单双层MoS_2中新颖的谷去极化动力学和激子的谷霍尔效应第209-239页
        8.1 与激子相关的霍尔效应介绍第209-215页
            8.1.1 激子的光学自旋霍尔效应第209-212页
            8.1.2 激子的本征反常霍尔效应第212-214页
            8.1.3 激子的自旋霍尔效应第214-215页
        8.2 模型和KSBEs第215-218页
        8.3 单层MoS_2第218-229页
            8.3.1 新颖的谷去极化动力学第219-224页
            8.3.2 激子的谷霍尔效应第224-229页
        8.4 双层MoS_2第229-235页
            8.4.1 光学荧光去极化动力学第230-232页
            8.4.2 激子的谷霍尔效应第232-235页
        8.5 小结第235-236页
        8.6 实验的可能证实第236-239页
第三部分第239-411页
    第九章 超导中准经典动力学方程与三态超导电性介绍第241-270页
        9.1 超导中库伯配对的对称性分类第241-243页
        9.2 常规超导金属中的准经典动力学方程第243-253页
            9.2.1 Gor'kov方程第243-245页
            9.2.2 Eilenberger方程第245-248页
            9.2.3 Usadel方程第248-249页
            9.2.4 Ginzburg-Landau方程第249-253页
        9.3 三态超导电性第253-270页
            9.3.1 超流体~3He及非常规超导体Sr_2RuO_4第254-257页
            9.3.2 具有界面自旋轨道耦合的常规超导体第257-258页
            9.3.3 非中心反演对称超导体第258-260页
            9.3.4 常规超导体-铁磁体界面第260-270页
    第十章 常规超导体中电荷与自旋动力学及光学响应介绍第270-303页
        10.1 Bogoliubov准粒子电荷动力学第270-278页
            10.1.1 准粒子电荷守恒与Andreev反射第270-273页
            10.1.2 准粒子电荷失衡的产生第273-277页
            10.1.3 常规超导体中准粒子电荷失衡的弛豫第277-278页
        10.2 Bogoliubov准粒子自旋动力学第278-281页
            10.2.1 准粒子自旋失衡的产生第278-279页
            10.2.2 准粒子自旋失衡的弛豫第279-281页
        10.3 常规超导体中光学响应介绍:线性响应第281-290页
            10.3.1 Mattis-Bardeen模型第281-282页
            10.3.2 低频时的两流体模型第282-283页
            10.3.3 THz频率下光电导的实验测量第283-284页
            10.3.4 Nambu规范不变描述:Nambu-Goldstone模第284-289页
            10.3.5 无序超导体对光学响应中Nambu-Goldstone模的贡献第289-290页
        10.4 常规超导体中光学响应介绍:非线性响应第290-303页
            10.4.1 Higgs模第290-292页
            10.4.2 利用THz光对Higgs模的可能探测第292-294页
            10.4.3 Higgs模光学激发的理论研究第294-298页
            10.4.4 两带超导体中Leggett模及可能的光学激发第298-301页
            10.4.5 对Bloch方程和Liouville方程的评述第301-303页
    第十一章 近邻于s-波超导体的GaAs(100)量子阱中超流速度可调准粒子态以及准粒子自旋弛豫第303-332页
        11.1 超导态量子阱介绍第303-307页
            11.1.1 近邻效应诱导的超导态量子阱第303-306页
            11.1.2 超导态量子阱中引入库伯对质心动量的可能方式第306-307页
        11.2 模型与哈密顿量第307-309页
        11.3 量子阱中超流速度可调控的准粒子态第309-318页
            11.3.1 解析分析第309-312页
            11.3.2 数值结果第312-318页
        11.4 准粒子自旋弛豫第318-330页
            11.4.1 Bogoliubov准粒子动力学自旋Bloch方程第318-322页
            11.4.2 数值结果第322-330页
        11.5 小结和讨论第330-332页
    第十二章 s-波超导态量子阱中准粒子和凝聚体对THz光场的响应第332-363页
        12.1 哈密顿量第333-334页
        12.2 光学Bloch方程第334-342页
            12.2.1 规范不变格林函数第335页
            12.2.2 光学Bloch方程的推导第335-339页
            12.2.3 在准粒子表象下的光学Bloch方程第339-340页
            12.2.4 电荷中性条件第340-342页
        12.3 数值结果第342-359页
            12.3.1 Higgs模的激发第343-351页
            12.3.2 电荷失衡:诱导和弛豫第351-359页
        12.4 小结与讨论第359-363页
    第十三章 在近邻于s-波超导体的强自旋轨道耦合量子阱中实现具有三态p-波序参量的超导态第363-387页
        13.1 (2+1)维chiral和heliccal拓扑超导电性简介第364-367页
            13.1.1 由Chern数表征的拓扑不变量第364-366页
            13.1.2 Z_2拓扑不变量第366页
            13.1.3 空间二维下的拓扑超导电性第366-367页
        13.2 模型和哈密顿量第367-369页
            13.2.1 (100)量子阱哈密顿量第367-368页
            13.2.2 s-波超导体哈密顿量第368-369页
        13.3 解析结果第369-374页
            13.3.1 量子阱中的有效BdG哈密顿量第369-371页
            13.3.2 由自能贡献的单态和三态序参量第371-374页
        13.4 数值结果第374-385页
            13.4.1 对单态序参量的抑制第375-380页
            13.4.2 诱导的三态p-波序参量第380-385页
        13.5 (s+p)-波超导哈密顿量的对称性:Z_2 helical拓扑超导体的平台第385-386页
        13.6 小结第386-387页
    第十四章 (s+p)-波超导态量子阱中准粒子和凝聚体对THz光场的响应第387-404页
        14.1 电学方法诱导的三态库伯对自旋极化介绍第387-390页
            14.1.1 利用超导-铁磁-超导Josephson结第388-389页
            14.1.2 利用稳态超流第389-390页
        14.2 哈密顿量第390-391页
        14.3 光学Bloch方程第391-393页
        14.4 数值结果第393-403页
            14.4.1 库伯对自旋极化的光学激发第394-400页
            14.4.2 Higgs模和电荷失衡第400-403页
        14.5 小结第403-404页
    第十五章 总结第404-411页
附录A 强塞曼场下反常DP自旋弛豫的一些补充说明第411-420页
    A.1 具有HF有效磁场时横向自旋弛豫时间第411-414页
    A.2 公式(2.40)的推导第414-416页
    A.3 对冷原子自旋扩散的解析分析第416-420页
        A.3.1 沿(?)-方向的自旋扩散第416-417页
        A.3.2 沿(?)-方向的自旋扩散第417-420页
附录B 单双层MoX_2中电子-空穴交换相互作用的补充说明第420-425页
    B.1 Excimer哈密顿量第420-422页
    B.2 激子平衡态分布的解析分析第422-423页
    B.3 施加外场时KSBEs的稳态解析解第423-425页
附录C s-波和(s+p)-波超导体及其对THz光场响应的一些补充说明第425-431页
    C.1 库仑屏蔽第425-426页
    C.2 准粒子和超流体浓度第426-429页
    C.3 光生自旋极化和自旋流第429-431页
附录D 超导体中规范不变的光学Bloch方程的推导第431-437页
    D.1 自由部分第431-433页
    D.2 散射项及HF项第433-437页
参考文献第437-466页
博士期间发表的论文第466-467页
会议报告第467-468页
致谢第468-469页

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