| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一部分 | 第12-88页 |
| 第一章 绪论I | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 银基氧化物电接触材料种类 | 第13-17页 |
| 1.2.1 AgCdO 电接触材料 | 第13-14页 |
| 1.2.2 AgSnO_2电接触材料 | 第14-16页 |
| 1.2.3 AgZnO 电接触材料 | 第16页 |
| 1.2.4 银稀土氧化物电接触材料 | 第16-17页 |
| 1.3 AgSnO_2电接触材料的制备工艺 | 第17-19页 |
| 1.4 材料的导电性 | 第19-20页 |
| 1.4.1 材料电阻的产生根源 | 第19-20页 |
| 1.4.2 合金化与电阻率的关系 | 第20页 |
| 1.5 SnO_2半导体的掺杂 | 第20-23页 |
| 1.5.1 半导体的电导 | 第21-22页 |
| 1.5.2 SnO_2半导体的掺杂模型 | 第22-23页 |
| 1.6 纳米掺杂材料 | 第23-26页 |
| 1.6.1 纳米材料 | 第23-24页 |
| 1.6.2 纳米材料的制备方法 | 第24页 |
| 1.6.3 溶胶凝胶法制备纳米微粒 | 第24-26页 |
| 1.6.4 纳米掺杂材料的特性 | 第26页 |
| 1.7 AgSnO_2电接触材料存在的问题 | 第26-27页 |
| 1.8 课题背景 | 第27-29页 |
| 第二章 纳米掺杂SnO_2粉末的研究 | 第29-49页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验原料与设备方法 | 第30-32页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第30-31页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第31-32页 |
| 2.3 实验结果和讨论 | 第32-43页 |
| 2.3.1 纳米掺杂SnO_2溶胶的制备 | 第32-33页 |
| 2.3.2 纳米掺杂SnO_2粉末的X-衍射分析 | 第33-34页 |
| 2.3.3 两种掺杂粉末的XRD 比较分析 | 第34-36页 |
| 2.3.4 纳米掺杂SnO_2粉末的SEM分析 | 第36-37页 |
| 2.3.5 DTA-TG 差热分析 | 第37-38页 |
| 2.3.6 热处理温度对纳米掺杂SnO_2的影响 | 第38-41页 |
| 2.3.7 掺杂物种类的选择 | 第41-42页 |
| 2.3.8 掺杂量的计算 | 第42-43页 |
| 2.4 分析与讨论 | 第43-48页 |
| 2.4.1 纳米掺杂的结构和能带分析 | 第43-46页 |
| 2.4.2 热处理温度与晶体长大过程分析 | 第46-47页 |
| 2.4.3 晶粒尺寸对电阻的影响分析 | 第47-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 SnO_2纳米微粒的表面修饰 | 第49-63页 |
| 3.1 引言 | 第49-50页 |
| 3.2 实验材料及设备 | 第50-51页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第50页 |
| 3.2.2 实验仪器设备 | 第50-51页 |
| 3.3 结果分析及讨论 | 第51-60页 |
| 3.3.1 分散剂的表面修饰 | 第52-54页 |
| 3.3.1.1 纳米SnO_2凝胶的TEM分析 | 第52页 |
| 3.3.1.2 纳米SnO_2干燥粉末的SEM | 第52-53页 |
| 3.3.1.3 表面修饰的作用分析 | 第53-54页 |
| 3.3.2 表面化学镀修饰 | 第54-60页 |
| 3.3.2.1 化学镀修饰的原理及工艺 | 第54-56页 |
| 3.3.2.2 化学镀修饰XRD 分析 | 第56-57页 |
| 3.3.2.3 化学镀修饰的SEM 分析 | 第57-58页 |
| 3.3.2.4 化学镀修饰对触头性能的影响 | 第58-60页 |
| 3.4 分析与讨论 | 第60-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 AgSnO_2电接触材料性能分析 | 第63-80页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 实验材料及设备 | 第64-65页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第64页 |
| 4.2.2 实验设备 | 第64-65页 |
| 4.3 材料的制备工艺 | 第65-66页 |
| 4.4 分析与讨论 | 第66-69页 |
| 4.4.1 纳米AgSnO_2表面成分分析 | 第66-67页 |
| 4.4.2 纳米掺杂AgSnO_2的显微组织分析 | 第67-68页 |
| 4.4.3 纳米银氧化锡触头材料的性能分析 | 第68-69页 |
| 4.5 纳米AgSnO_2触头材料热处理工艺研究 | 第69-79页 |
| 4.5.1 最佳退火温度的选择 | 第70-71页 |
| 4.5.2 退火时间的选择 | 第71页 |
| 4.5.3 热处理工艺对AgSnO_2材料性能的影响 | 第71-72页 |
| 4.5.4 纳米AgSnO_2断口形貌和成分分析 | 第72-76页 |
| 4.5.5 分析与讨论 | 第76-79页 |
| 4.5.5.1 纳米AgSnO_2材料的超塑性分析 | 第76-77页 |
| 4.5.5.2 纳米AgSnO_2材料的弥散强化分析 | 第77页 |
| 4.5.5.3 纳米AgSnO_2材料的塑性变形分析 | 第77-78页 |
| 4.5.5.4 纳米AgSnO_2材料的退火特性分析 | 第78-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 第一部分总结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 第二部分 | 第88-132页 |
| 第六章 绪论 | 第88-104页 |
| 6.1 引言 | 第88页 |
| 6.2 类流态的特征 | 第88-89页 |
| 6.3 类流态研究现状 | 第89-90页 |
| 6.4 材料的结构 | 第90-91页 |
| 6.4.1 晶体结构 | 第90页 |
| 6.4.2 空间点阵 | 第90-91页 |
| 6.5 单晶硅的基本性质 | 第91-98页 |
| 6.5.1 物理化学性质 | 第91页 |
| 6.5.2 硅的晶体结构 | 第91-93页 |
| 6.5.3 硅的表面结构 | 第93-94页 |
| 6.5.4 硅的化学键 | 第94-95页 |
| 6.5.5 硅晶体的能带结构 | 第95-96页 |
| 6.5.6 硅晶体的缺陷 | 第96-97页 |
| 6.5.7 单晶硅的应用 | 第97-98页 |
| 6.6 非平衡与耗散结构 | 第98-100页 |
| 6.6.1 平衡态、非平衡态与恒定状态 | 第98页 |
| 6.6.2 局部平衡假设 | 第98-99页 |
| 6.6.3 耗散结构 | 第99-100页 |
| 6.7 单晶体的晶格动力学模型 | 第100-102页 |
| 6.8 课题的研究意义和前景 | 第102-103页 |
| 6.9 本文拟开展的工作 | 第103-104页 |
| 第七章 单晶硅类流态组织的观察 | 第104-115页 |
| 7.1 引言 | 第104页 |
| 7.2 实验材料和仪器设备 | 第104-105页 |
| 7.2.1 实验材料 | 第104-105页 |
| 7.2.2 实验仪器设备 | 第105页 |
| 7.3 分析与讨论 | 第105-114页 |
| 7.3.1 单晶硅类流态胞区的振荡过程 | 第105-106页 |
| 7.3.2 类流态胞区的萌生 | 第106-107页 |
| 7.3.3 类流态胞的衰变和消失 | 第107-109页 |
| 7.3.4 胞区对温度场的反应 | 第109-111页 |
| 7.3.5 类流态胞区的非平衡运动 | 第111-114页 |
| 7.4 本章小节 | 第114-115页 |
| 第八章 单晶硅类流态组织的结构与能量计算 | 第115-126页 |
| 8.1 引言 | 第115-116页 |
| 8.2 实验材料与设备 | 第116页 |
| 8.2.1 试样的制备 | 第116页 |
| 8.2.2 实验仪器设备 | 第116页 |
| 8.3 单晶X-射线衍射结构分析 | 第116-125页 |
| 8.3.1 衍射数据的搜集和晶体结构数据 | 第116-119页 |
| 8.3.2 立方硅1 和四方硅2 的结构分析 | 第119-121页 |
| 8.3.3 立方硅1 的能量计算 | 第121-123页 |
| 8.3.4 四方硅2 的全能量计算 | 第123-125页 |
| 8.4 本章小节 | 第125-126页 |
| 第九章 第二部分总结 | 第126-128页 |
| 今后工作设想 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-132页 |
| 博期间发表的论文 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
