| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 有机场效应晶体管非易失性存储器概述 | 第10-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管非易失性存储器的基本概念 | 第11-17页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管非易失性存储器的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管非易失性存储器的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管非易失性存储器的基本参数 | 第13-17页 |
| 1.3 纳米颗粒悬浮栅极有机场效应晶体管非易失性存储器 | 第17-20页 |
| 1.3.1 纳米颗粒悬浮栅极非易失性存储器的基本结构及工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 纳米颗粒悬浮栅极的常见制备方法 | 第19-20页 |
| 1.4 有机场效应晶体管非易失性存储器的应用前景 | 第20页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要内容 | 第20-21页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第20-21页 |
| 1.5.2 主要内容 | 第21页 |
| 1.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第2章 实验设备、实验材料及实验流程 | 第22-34页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-26页 |
| 2.2 实验材料 | 第26-28页 |
| 2.3 有机场效应晶体管非易失性存储器的制备流程 | 第28-32页 |
| 2.3.1 器件衬底的切割与清洗 | 第28-29页 |
| 2.3.2 悬浮栅极的制备 | 第29-30页 |
| 2.3.3 聚苯乙烯隧穿绝缘层的制备 | 第30-31页 |
| 2.3.4 并五苯有机薄膜的制备 | 第31页 |
| 2.3.5 铜电极的制备 | 第31页 |
| 2.3.6 器件测试前的准备工作 | 第31-32页 |
| 2.4 有机场效应晶体管非易失性存储器的电学性能测试 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 银、铂单金属纳米颗粒悬浮栅极存储器 | 第34-51页 |
| 3.1 研究背景 | 第34-41页 |
| 3.2 器件结构 | 第41-42页 |
| 3.3 银、铂单金属纳米颗粒悬浮栅极的表征 | 第42-43页 |
| 3.4 聚苯乙烯隧穿绝缘层的表征 | 第43-44页 |
| 3.5 器件的电学性能测试和分析 | 第44-47页 |
| 3.6 器件存储行为差异的物理机制解释 | 第47-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 银-铂双金属纳米颗粒悬浮栅极存储器 | 第51-65页 |
| 4.1 研究背景 | 第51-53页 |
| 4.2 器件结构 | 第53-54页 |
| 4.3 银-铂双金属纳米颗粒悬浮栅极的表征 | 第54-56页 |
| 4.4 聚苯乙烯隧穿绝缘层的表征 | 第56-57页 |
| 4.5 器件的电学性能测试和分析 | 第57-60页 |
| 4.6 存储增益效应的物理机制解释 | 第60-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 全文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间本人公开发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
