| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 一维硅纳米材料分类及制备方法 | 第9-18页 |
| 1.2.1 硅纳米线 | 第9-15页 |
| 1.2.2 硅纳米管 | 第15-18页 |
| 1.2.3 硅纳米链 | 第18页 |
| 1.3 一维硅纳米材料的表征 | 第18-20页 |
| 1.3.1 电子显微镜 | 第18-20页 |
| 1.3.2 能量色散X射线分析(EDS) | 第20页 |
| 1.3.3 X射线衍射(XRD) | 第20页 |
| 1.4 一维硅纳米材料的生长机理 | 第20-23页 |
| 1.4.1 气-液-固(VLS)生长机理 | 第20-21页 |
| 1.4.2 氧化辅助生长(OAG)机理 | 第21-22页 |
| 1.4.3 金属辅助化学刻蚀生长硅纳米线阵列机理 | 第22-23页 |
| 1.5 一维硅纳米材料的应用 | 第23-26页 |
| 1.5.1 场效应晶体管 | 第24-25页 |
| 1.5.2 传感器 | 第25页 |
| 1.5.3 太阳能电池 | 第25-26页 |
| 1.5.4 场发射显示屏 | 第26页 |
| 1.6 课题研究的意义及主要创新点 | 第26-28页 |
| 第二章 热蒸发方法中一维硅纳米结构的形貌调制 | 第28-42页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 实验设备及原料 | 第28-31页 |
| 2.2.1 高温真空管式炉 | 第28-30页 |
| 2.2.2 机械真空泵 | 第30页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第30页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第30页 |
| 2.2.5 电感耦合等离子体发射光谱仪 | 第30页 |
| 2.2.6 能量色散X射线分析 | 第30页 |
| 2.2.7 超声波清洗机 | 第30页 |
| 2.2.8 实验药品 | 第30-31页 |
| 2.3 实验内容 | 第31-40页 |
| 2.3.1 镧粉含量对一维硅纳米材料形貌的影响 | 第31页 |
| 2.3.2 实验结果及讨论 | 第31-38页 |
| 2.3.3 反应物热蒸发表面积对一维硅纳米材料形貌的影响 | 第38-39页 |
| 2.3.4 实验结果及讨论 | 第39-40页 |
| 2.4 小结 | 第40-42页 |
| 第三章 金属辅助刻蚀法制备硅纳米线阵列 | 第42-62页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 实验设备及原料 | 第42-43页 |
| 3.2.1 场发射扫描电子显微镜 | 第42页 |
| 3.2.2 超声波清洗机 | 第42-43页 |
| 3.2.3 真空干燥箱 | 第43页 |
| 3.2.4 实验药品 | 第43页 |
| 3.2.5 单面抛光硅片 | 第43页 |
| 3.3 金属催化剂的选择与铺设 | 第43-50页 |
| 3.3.1 金属催化剂的选择 | 第43-45页 |
| 3.3.2 PS球与金属膜双模板 | 第45-50页 |
| 3.4 HF/AgNO_3/H_2O系统刻蚀硅片步骤与参数 | 第50-52页 |
| 3.4.1 刻蚀时间对硅纳米线阵列的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.2 掺杂类型对硅纳米线阵列的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.3 掺杂水平对硅纳米线阵列的影响 | 第52页 |
| 3.5 实验结果及讨论 | 第52-60页 |
| 3.5.1 金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线阵列生长模型 | 第52-54页 |
| 3.5.2 不同刻蚀条件下的实验结果及讨论 | 第54-60页 |
| 3.6 总结 | 第60-62页 |
| 第四章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 硕士期间论文发表 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
