摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-12页 |
1.1 课题的背景与研究意义 | 第9-10页 |
1.2 研究现状 | 第10-11页 |
1.3 本论文的主要研究内容及创新点 | 第11-12页 |
第二章 智能功率模块简介 | 第12-18页 |
2.1 IGBT的工作原理及擎住效应分析 | 第12-15页 |
2.1.1 IGBT的工作原理 | 第12-13页 |
2.1.2 IGBT擎住效应分析 | 第13-15页 |
2.2 智能功率模块的结构及失效机理分析 | 第15-17页 |
2.2.1 智能功率模块的整体结构 | 第15-16页 |
2.2.2 智能功率模块的失效机理 | 第16-17页 |
2.3 本章小结 | 第17-18页 |
第三章 高压电平位移电路中的抑制噪声技术 | 第18-33页 |
3.1 高压电平位移电路简介 | 第18-24页 |
3.1.1 电路架构及功能分析 | 第18-22页 |
3.1.1.1 窄带脉冲产生电路 | 第19-20页 |
3.1.1.2 高压电平位移电路 | 第20-22页 |
3.1.2 dv/dt噪声干扰问题分析 | 第22-24页 |
3.2 电容负载的高压电平位移电路 | 第24-28页 |
3.2.1 电路结构及原理描述 | 第24-25页 |
3.2.2 dv/dt噪声干扰问题的研究及分析 | 第25-26页 |
3.2.3 VS负压噪声问题的研究及分析 | 第26-27页 |
3.2.4 dv/dt噪声免疫与VS负压噪声免疫的权衡 | 第27-28页 |
3.3 电阻负载的高压电平位移电路的改进 | 第28-32页 |
3.3.1 电路结构及原理描述 | 第28-29页 |
3.3.2 dv/dt噪声免疫能力分析 | 第29-32页 |
3.3.2.1 自动加速原理 | 第30-31页 |
3.3.2.2 噪声免疫容限分析 | 第31-32页 |
3.3.2.3 仿真数据分析 | 第32页 |
3.4 本章小结 | 第32-33页 |
第四章 三相逆变电路中的抑制噪声技术 | 第33-44页 |
4.1 弥勒误导通模型 | 第33-39页 |
4.1.1 弥勒误导通模型的理论推导 | 第33-36页 |
4.1.2 模型仿真分析 | 第36-39页 |
4.2 模型中的擎住效应分析 | 第39-41页 |
4.3 动态安全工作区 | 第41-42页 |
4.4 dv/dt噪声免疫方案 | 第42-43页 |
4.5 本章小结 | 第43-44页 |
第五章 自举电路及保护电路设计 | 第44-58页 |
5.1 自举电路设计 | 第44-46页 |
5.2 保护电路设计 | 第46-58页 |
5.2.1 过流保护电路设计 | 第46-50页 |
5.2.2 过温保护电路设计 | 第50-53页 |
5.2.3 欠压保护电路设计 | 第53-58页 |
第六章 总结 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-62页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第62-63页 |