首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按性能分论文

高压栅驱动电路中抑制噪声技术的研究与设计

摘要第5-6页
abstract第6页
第一章 绪论第9-12页
    1.1 课题的背景与研究意义第9-10页
    1.2 研究现状第10-11页
    1.3 本论文的主要研究内容及创新点第11-12页
第二章 智能功率模块简介第12-18页
    2.1 IGBT的工作原理及擎住效应分析第12-15页
        2.1.1 IGBT的工作原理第12-13页
        2.1.2 IGBT擎住效应分析第13-15页
    2.2 智能功率模块的结构及失效机理分析第15-17页
        2.2.1 智能功率模块的整体结构第15-16页
        2.2.2 智能功率模块的失效机理第16-17页
    2.3 本章小结第17-18页
第三章 高压电平位移电路中的抑制噪声技术第18-33页
    3.1 高压电平位移电路简介第18-24页
        3.1.1 电路架构及功能分析第18-22页
            3.1.1.1 窄带脉冲产生电路第19-20页
            3.1.1.2 高压电平位移电路第20-22页
        3.1.2 dv/dt噪声干扰问题分析第22-24页
    3.2 电容负载的高压电平位移电路第24-28页
        3.2.1 电路结构及原理描述第24-25页
        3.2.2 dv/dt噪声干扰问题的研究及分析第25-26页
        3.2.3 VS负压噪声问题的研究及分析第26-27页
        3.2.4 dv/dt噪声免疫与VS负压噪声免疫的权衡第27-28页
    3.3 电阻负载的高压电平位移电路的改进第28-32页
        3.3.1 电路结构及原理描述第28-29页
        3.3.2 dv/dt噪声免疫能力分析第29-32页
            3.3.2.1 自动加速原理第30-31页
            3.3.2.2 噪声免疫容限分析第31-32页
            3.3.2.3 仿真数据分析第32页
    3.4 本章小结第32-33页
第四章 三相逆变电路中的抑制噪声技术第33-44页
    4.1 弥勒误导通模型第33-39页
        4.1.1 弥勒误导通模型的理论推导第33-36页
        4.1.2 模型仿真分析第36-39页
    4.2 模型中的擎住效应分析第39-41页
    4.3 动态安全工作区第41-42页
    4.4 dv/dt噪声免疫方案第42-43页
    4.5 本章小结第43-44页
第五章 自举电路及保护电路设计第44-58页
    5.1 自举电路设计第44-46页
    5.2 保护电路设计第46-58页
        5.2.1 过流保护电路设计第46-50页
        5.2.2 过温保护电路设计第50-53页
        5.2.3 欠压保护电路设计第53-58页
第六章 总结第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-62页
攻读硕士学位期间取得的成果第62-63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:新世纪上海城市小说主题研究
下一篇:应用软件开发团队沟通满意度研究