| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 绪论 | 第11-15页 |
| 1.2 日盲紫外探测器发展概况 | 第15-17页 |
| 1.3 论文内容及写作安排 | 第17-19页 |
| 2 材料特性与器件原理 | 第19-25页 |
| 2.1 材料特性 | 第19-21页 |
| 2.2 器件原理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 AlGaN p-i-n日盲紫外探测器 | 第21-22页 |
| 2.2.2 金属-绝缘体-半导体器件（MIS） | 第22-23页 |
| 2.2.3 金属-半导体场效应晶体管（MESFET） | 第23-24页 |
| 2.3 小结 | 第24-25页 |
| 3 半导体器件物理模型 | 第25-39页 |
| 3.1 泊松方程 | 第25页 |
| 3.2 连续性方程 | 第25页 |
| 3.3 输运方程 | 第25-26页 |
| 3.3.1 漂移扩散模型 | 第25-26页 |
| 3.3.2 能量平衡输运模型 | 第26页 |
| 3.4 费米-狄拉克分布模型 | 第26-27页 |
| 3.5 能带模型 | 第27-28页 |
| 3.5.1 一般能带模型 | 第27-28页 |
| 3.5.2 禁带变窄效应 | 第28页 |
| 3.6 迁移率模型 | 第28-31页 |
| 3.6.1 低场迁移率模型 | 第29-30页 |
| 3.6.2 高场迁移率 | 第30-31页 |
| 3.7 复合模型 | 第31-37页 |
| 3.7.1 直接复合 | 第31-33页 |
| 3.7.2 间接复合 | 第33-35页 |
| 3.7.3 表面复合 | 第35页 |
| 3.7.4 俄歇复合 | 第35-36页 |
| 3.7.5 光学复合 | 第36页 |
| 3.7.6 Shockley-Read-Hall (SRH) 复合 | 第36-37页 |
| 3.8 光的吸收与折射 | 第37页 |
| 3.9 小结 | 第37-39页 |
| 4 半导体器件数值仿真 | 第39-57页 |
| 4.1 Silvaco-TCAD软件 | 第39-42页 |
| 4.1.1 Deckbuild | 第39-40页 |
| 4.1.2 ATLAS | 第40-41页 |
| 4.1.3 Tonyplot | 第41页 |
| 4.1.4 仿真流程 | 第41-42页 |
| 4.2 器件模型和仿真结果 | 第42-56页 |
| 4.2.1 p-i-n日盲紫外探测器仿真 | 第42-53页 |
| 4.2.2 MESFET器件仿真 | 第53-56页 |
| 4.3 小结 | 第56-57页 |
| 5 日盲紫外探测集成器件制备 | 第57-73页 |
| 5.1 器件设计方案 | 第57-58页 |
| 5.2 器件制备工艺 | 第58-60页 |
| 5.2.1 器件版图 | 第58页 |
| 5.2.2 集成前置放大的日盲紫外探测器的制备工艺 | 第58-60页 |
| 5.3 器件性能测试 | 第60-72页 |
| 5.3.1 测试平台 | 第60-61页 |
| 5.3.2 测试结果 | 第61-72页 |
| 5.4 小结 | 第72-73页 |
| 6 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第78页 |
