钒氧化物热敏电阻薄膜的制备与性能研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 钒氧化物热敏电阻薄膜的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 钒氧化物结构与性质 | 第17-21页 |
| 1.3.1 二氧化钒晶体结构与性质 | 第19-20页 |
| 1.3.2 五氧化二钒晶体结构与性质 | 第20-21页 |
| 1.3.3 三氧化二钒晶体结构与性质 | 第21页 |
| 1.4 钒氧化物薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.4.1 溅射法 | 第21-22页 |
| 1.4.2 脉冲激光法 | 第22页 |
| 1.4.3 溶胶凝胶法 | 第22页 |
| 1.4.4 真空蒸发法 | 第22-23页 |
| 1.5 研究内容与选题意义 | 第23页 |
| 1.6 本章总结 | 第23-24页 |
| 第2章 钒氧化物薄膜原材料设备及制备原理 | 第24-31页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第24页 |
| 2.1.2 实验设备及性能表征设备 | 第24-25页 |
| 2.2 实验步骤及内容 | 第25-26页 |
| 2.2.1 实验步骤 | 第25页 |
| 2.2.2 实验内容 | 第25-26页 |
| 2.3 磁控溅射及薄膜生长基本原理 | 第26-29页 |
| 2.3.1 磁控溅射基本原理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 薄膜的沉积原理 | 第27-29页 |
| 2.4 薄膜性能表征及原理 | 第29-30页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第29页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱分析 | 第29页 |
| 2.4.3 薄膜表面形貌分析 | 第29-30页 |
| 2.4.4 薄膜电学性能的测试 | 第30页 |
| 2.5 本章总结 | 第30-31页 |
| 第3章 不同溅射工艺对薄膜性能的影响 | 第31-53页 |
| 3.1 不同氧氩比对薄膜性能的影响 | 第31-36页 |
| 3.1.1 氧氩比对薄膜相结构的影响 | 第31页 |
| 3.1.2 氧氩比对薄膜成分及价态的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.3 氧氩比对薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.4 氧氩比对薄膜电学性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.5 小结 | 第36页 |
| 3.2 不同衬底温度对薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.1 衬底温度对薄膜相结构的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 衬底温度对薄膜成分及价态的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.4 衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.5 小结 | 第41页 |
| 3.3 沉积时间对薄膜性能的影响 | 第41-45页 |
| 3.3.1 沉积时间对薄膜相结构的影响 | 第42页 |
| 3.3.2 沉积时间对薄膜成分及价态的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.3 沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.4 沉积时间对薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.5 小结 | 第45页 |
| 3.4 钒靶溅射功率对薄膜性能的影响 | 第45-48页 |
| 3.4.1 钒靶溅射功率对薄膜相结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 钒靶溅射功率对薄膜成分及价态的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 钒靶溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.4 钒靶溅射功率对薄膜电学性能的影响 | 第48页 |
| 3.4.5 小结 | 第48页 |
| 3.5 钨掺杂对钒氧化物薄膜性能的影响 | 第48-52页 |
| 3.5.1 钨靶溅射功率对薄膜相结构的影响 | 第49页 |
| 3.5.2 钨靶溅射功率对薄膜成分及价态的影响 | 第49-50页 |
| 3.5.3 钨靶溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.4 钨掺杂对薄膜电学性能的影响 | 第51页 |
| 3.5.5 小结 | 第51-52页 |
| 3.6 本章总结 | 第52-53页 |
| 第4章 不同的退火工艺对薄膜的影响 | 第53-67页 |
| 4.1 退火温度对薄膜性能的影响 | 第53-58页 |
| 4.1.1 退火温度对薄膜相结构的影响 | 第53-54页 |
| 4.1.2 退火温度对薄膜成分及价态的影响 | 第54-56页 |
| 4.1.3 退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| 4.1.4 退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.1.5 退火温度对薄膜TCR的影响 | 第58页 |
| 4.1.6 小结 | 第58页 |
| 4.2 退火时间的薄膜性能的影响 | 第58-63页 |
| 4.2.1 退火时间对薄膜相结构的影响 | 第59页 |
| 4.2.2 退火时间对薄膜成分及价态的影响 | 第59-61页 |
| 4.2.3 退火时间对薄膜表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| 4.2.4 退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.5 退火时间对薄膜TCR的影响 | 第63页 |
| 4.2.6 小结 | 第63页 |
| 4.3 退火真空度对薄膜性能的影响 | 第63-66页 |
| 4.3.1 退火真空度对薄膜相结构的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.2 退火真空度对薄膜成分及价态的影响 | 第64-65页 |
| 4.3.3 退火真空度对薄膜电学性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 本章总结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
