| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 相变存储器的工作原理 | 第11-13页 |
| 1.2 硫系相变材料特性 | 第13-14页 |
| 1.3 改善相变材料相变特性的方法 | 第14-27页 |
| 1.3.1 元素掺杂对Ge_2Sb_2Te_5材料的改性研究 | 第15-22页 |
| 1.3.2 新的相变材料体系的性能研究 | 第22-27页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第二章 Zn掺杂GST薄膜的结构表征、光电特性及其相变性质 | 第33-57页 |
| 2.1 Zn-GST相变薄膜制备 | 第34-35页 |
| 2.2 Zn-GST相变薄膜XPS表征 | 第35-38页 |
| 2.3 Zn-GST相变薄膜扫描式电子显微镜图像 | 第38-39页 |
| 2.4 Zn-GST相变薄膜Kissinger结晶活化能Ea | 第39-41页 |
| 2.5 Zn-GST相变薄膜光学带隙结构 | 第41-44页 |
| 2.6 Zn-GST相变薄膜电学特性 | 第44-46页 |
| 2.7 Zn-GST相变薄膜热致JMAK相变模型拟合 | 第46-49页 |
| 2.8 Zn-GST相变薄膜GCA模型拟合 | 第49-52页 |
| 2.9 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第三章 锌锑碲薄膜的结构表征、光电特性及其相变性质 | 第57-77页 |
| 3.1 锌锑碲薄膜制备与测试过程 | 第57-58页 |
| 3.2 锌锑碲薄膜的XPS和Raman谱 | 第58-61页 |
| 3.3 锌锑碲薄膜结晶活化能Ea | 第61-63页 |
| 3.4 锌锑碲薄膜的光学带隙结构 | 第63-65页 |
| 3.5 锌锑碲薄膜的电学特性 | 第65-67页 |
| 3.6 锌锑碲薄膜材料的GCA模型拟合 | 第67-72页 |
| 3.7 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 第四章 激光晶化ZST薄膜的表面形貌研究 | 第77-99页 |
| 4.1 GST和ZST的形貌特性分析 | 第77-79页 |
| 4.2 不同激光强度下的GST的形貌特性 | 第79-84页 |
| 4.3 激光通过不同光栅照射在GST上对其表面形貌的影响 | 第84-88页 |
| 4.4 Zn掺杂相变材料对其表面形貌的影响 | 第88-94页 |
| 4.5 本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第五章 Ge_2Sb_2Te_5的结构表征及其光学性质 | 第99-111页 |
| 5.1 Ge_2Sb_2Te_5薄膜的TEM分析 | 第99-101页 |
| 5.2 Ge_2Sb_2Te_5薄膜的拉曼光谱分析 | 第101-102页 |
| 5.3 Ge_2Sb_2Te_5薄膜迁移率随温度变化关系 | 第102-103页 |
| 5.4 电场引起的Ge_2Sb_2Te_5薄膜透射反射的变化 | 第103-107页 |
| 5.5 本章小结 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第六章 总结与展望 | 第111-115页 |
| 6.1 结论 | 第111-113页 |
| 6.2 展望 | 第113-115页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
