SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·SiC的研究背景及应用 | 第10-12页 |
| ·SiC研究历史介绍 | 第10-11页 |
| ·SiC的应用 | 第11-12页 |
| ·碳化硅的研究现状 | 第12-14页 |
| ·实验研究现状 | 第12-13页 |
| ·理论模拟研究现状 | 第13-14页 |
| ·碳化硅的结构和基本性质 | 第14-16页 |
| ·研究的主要内容和意义 | 第16-17页 |
| 第二章 理论研究方法和CASTEP软件简介 | 第17-22页 |
| ·第一性原理简介 | 第17页 |
| ·Born-Oppenheimer近似-绝热近似 | 第17-18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| ·交换关联泛函 | 第20页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第20-22页 |
| 第三章 3C-SiC掺杂电子结构理论研究 | 第22-37页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·计算方法及模型 | 第22-23页 |
| ·p型掺杂 3C-Si C计算结果与讨论 | 第23-30页 |
| ·结构优化 | 第23-24页 |
| ·掺杂前 3C-SiC能带结构与态密度分析 | 第24-25页 |
| ·掺杂后 3C-SiC能带结构与态密度分析 | 第25-29页 |
| ·掺杂后 3C-SiC布居分析 | 第29-30页 |
| ·n型掺杂 3C-Si C计算结果与讨论 | 第30-34页 |
| ·结构优化 | 第30-31页 |
| ·掺杂后 3C-SiC能带结构与态密度分析 | 第31-33页 |
| ·掺杂后 3C-SiC布居分析 | 第33-34页 |
| ·3C-Si C介电常数性质分析 | 第34-35页 |
| ·3C-Si C弹性性质分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 4H-SiC掺杂电子结构理论研究 | 第37-54页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·计算方法及模型 | 第37-38页 |
| ·p型掺杂 4H-SiC计算结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·结构优化 | 第38-39页 |
| ·掺杂前 4H-SiC能带结构与态密度分析 | 第39-40页 |
| ·掺杂后 4H-SiC能带结构与态密度分析 | 第40-44页 |
| ·掺杂后 4H-SiC布居分析 | 第44-45页 |
| ·n型掺杂 4H-SiC计算结果与讨论 | 第45-50页 |
| ·结构优化 | 第45-46页 |
| ·掺杂后 4H-SiC能带结构与态密度分析 | 第46-48页 |
| ·掺杂后 4H-SiC布居分析 | 第48-50页 |
| ·4H-SiC介电常数性质分析 | 第50-51页 |
| ·4H-SiC弹性性质分析 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
