| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-19页 |
| ·研究意义 | 第6页 |
| ·β-FeSi_2薄膜材料的基本特性 | 第6-9页 |
| ·β-FeSi_2薄膜材料的晶体结构特性 | 第6-7页 |
| ·β-FeSi_2薄膜材料的光学及电学性质 | 第7-9页 |
| ·β-FeSi_2薄膜的制备方法 | 第9-10页 |
| ·光电效应 | 第10-16页 |
| ·外光电效应 | 第11页 |
| ·内光电效应 | 第11-12页 |
| ·PN结的能带原理 | 第12-13页 |
| ·PN结光伏效应的光电转换机制 | 第13-14页 |
| ·光传感器 | 第14-16页 |
| ·光电池 | 第16页 |
| ·β-FeSi_2薄膜及光传感器的研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第18-19页 |
| 第二章 样品的制备与表征方法 | 第19-30页 |
| ·样品的制备 | 第19-22页 |
| ·制膜的设备和原理 | 第19-21页 |
| ·衬底和靶材的选取和预处理 | 第21页 |
| ·样品的沉积过程 | 第21页 |
| ·Fe/Si结构的高真空退火 | 第21-22页 |
| ·常用的样品表征方法 | 第22-29页 |
| ·物相和晶体结构分析方法 | 第22-24页 |
| ·样品表面形貌常用测量方法 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱分析仪 | 第25-26页 |
| ·近红外波段的吸收谱 | 第26-27页 |
| ·量子效率 | 第27-28页 |
| ·光谱响应度测试装置 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 β-FeSi_2/n-Si异质结的制备工艺 | 第30-35页 |
| ·溅射工艺对β-FeSi_2薄膜质量的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射功率对成膜质量的影响 | 第30-31页 |
| ·溅射气压对成膜质量的影响 | 第31页 |
| ·溅射气体流量对成膜质量的影响 | 第31-32页 |
| ·溅射Fe膜厚度对β-Fe Si2薄膜结构及表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·溅射Fe膜厚度对β-FeSi_2薄膜结构的影响 | 第32-33页 |
| ·溅射Fe膜厚度对β-FeSi_2薄膜表面形貌的影响 | 第33页 |
| ·β-FeSi_2薄膜EDS能谱分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 光传感器的参数表征及光电性质 | 第35-47页 |
| ·光传感器原理和类型 | 第35-37页 |
| ·β-FeSi_2/n-Si光传感器的光谱响应与量子效率 | 第37-40页 |
| ·退火温度对β-Fe Si2/n-Si光传感器光谱响应的影响 | 第37-38页 |
| ·退火时间对β-Fe Si2/n-Si光传感器光谱响应的影响 | 第38-40页 |
| ·n-Si/β-FeSi_2/n-Si光传感器的量子效率 | 第40-42页 |
| ·溅射功率对n-Si/β-FeSi_2/n-Si光传感器的内量子效率的影响 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对n-Si/β-FeSi_2/n-Si光传感器的外量子效率的影响 | 第41-42页 |
| ·β-FeSi_2/n-Si异质结的拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
| ·β-FeSi_2/n-Si异质结的电学性质 | 第43-45页 |
| ·β-FeSi_2/n-Si异质结的霍尔效应 | 第43-44页 |
| ·β-FeSi_2/n-Si异质结的伏安特性 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附录 | 第54-55页 |
