| 附表 | 第1-6页 |
| 论文摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 插图和附表清单 | 第13页 |
| 第一章 冷分子的实验制备与囚禁技术 | 第13-53页 |
| ·引言 | 第19-21页 |
| ·冷分子的制备方法及其最新研究进展 | 第21-36页 |
| ·冷分子的囚禁技术 | 第36-48页 |
| ·冷分子的应用研究 | 第48-50页 |
| ·本文的研究工作 | 第50-53页 |
| 第二章 一种可控制的冷分子静电表面储存环新方案 | 第53-74页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·静电表面储存环方案 | 第54-61页 |
| ·储存环的方案图 | 第54-56页 |
| ·阱中心高度的可控性 | 第56-58页 |
| ·OH分子在外场中的能级分裂 | 第58-59页 |
| ·储存环可容纳的分子的速度范围 | 第59-61页 |
| ·数值模拟和分析 | 第61-70页 |
| ·分子波包可运行的圈数及其影响因素 | 第61-63页 |
| ·储存环中分子的平动温度 | 第63-67页 |
| ·归一化的囚禁效率 | 第67-70页 |
| ·一种改进的储存环方案 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第三章 一种高效可控制的静电表面阱新方案及其分子绝热冷却 | 第74-89页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·静电表面囚禁方案及其场计算 | 第75-80页 |
| ·芯片表面的静电阱方案 | 第75-76页 |
| ·电场的计算和重氨的Stark势计算 | 第76-78页 |
| ·表面阱的可控性 | 第78-80页 |
| ·数值模拟和结果 | 第80-85页 |
| ·绝热冷却 | 第85-87页 |
| ·另一种类似的囚禁方案 | 第87-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第四章 采用直流脉冲放电制备CH自由基分子 | 第89-102页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·直流脉冲放电产生CH的机理 | 第89-91页 |
| ·用直流脉冲放电的方法制备CH自由基 | 第91-99页 |
| ·实验装置 | 第91-92页 |
| ·放电装置 | 第92-93页 |
| ·直流脉冲放电的电路与时序控制 | 第93-95页 |
| ·实验参数以及观察到的荧光信号与发射光谱 | 第95-97页 |
| ·荧光强度与一些实验参数依赖关系的研究 | 第97-99页 |
| ·共振增强多光子电离 | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第五章 采用五倍频YAG激光器光解(CH_3)_2CO,CH_2Br_2,CH_3NO_2,CHBr_3产生CH(A~2△)及其光谱研究 | 第102-112页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·光解的实验装置 | 第103-104页 |
| ·实验中的时序控制 | 第104页 |
| ·示波器上看到的信号 | 第104-105页 |
| ·CH自由基的发射光谱研究 | 第105-111页 |
| ·CH(A→X)发射光谱 | 第105-106页 |
| ·影响荧光信号强度的参量 | 第106-110页 |
| ·CH(A~2△)的振动和转动温度 | 第110-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-115页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第112-113页 |
| ·本文的主要创新之处 | 第113页 |
| ·未来研究工作的展望 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-126页 |
| 简历 | 第126页 |
| 博士期间发表与待发表的文章 | 第126-127页 |
| 致谢 | 第127页 |