| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-13页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第7-9页 |
| ·2μmInGaAsSb/AlGaAsSb激光器发展 | 第9-11页 |
| ·双极级联激光器的研究进展 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 分子束外延技术及测试技术 | 第13-19页 |
| ·MBE(分子束外延)技术 | 第13-15页 |
| ·X射线双晶衍射 | 第15-17页 |
| ·光致发光分析方法 | 第17-19页 |
| 第三章 2μm双极级联激光器的结构设计 | 第19-29页 |
| ·双极级联激光器的特性 | 第19-21页 |
| ·隧道结的设计 | 第21-25页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 | 第25-28页 |
| ·2μm量子阱激光器的结构 | 第28-29页 |
| 第四章 2μm双极级联激光器的制备 | 第29-36页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构的MBE生长 | 第29-32页 |
| ·双极级联激光器的结构设计 | 第32-33页 |
| ·2μm双极级联激光器的工艺流程 | 第33-35页 |
| ·双极级联激光器器件工艺及结果 | 第35-36页 |
| 总结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 致谢 | 第39页 |