| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·引言 | 第7-10页 |
| ·高功率半导体激光器的发展状况和可靠性研究现状分析 | 第10-17页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 激光器腔面的表面态的分析研究 | 第18-38页 |
| ·表面态的由来和意义 | 第18-23页 |
| ·表面分析技术的研究 | 第23-30页 |
| ·表面态在激光器退化中的所起的作用 | 第30-32页 |
| ·表面钝化的概念 | 第32页 |
| ·化合物半导体表面钝化的方法介绍 | 第32-38页 |
| 第三章 激光器腔面钝化工艺的分析研究 | 第38-54页 |
| ·含硫溶液的湿法钝化方法 | 第38-40页 |
| ·硫化氢+氩气等离子体干法钝化的方法研究 | 第40-50页 |
| ·干法钝化和湿法钝化方法的效果的比较 | 第50-54页 |
| 第四章 半导体激光器腔面的镀膜工艺 | 第54-65页 |
| ·激光器腔面镀膜的设计 | 第54-56页 |
| ·高功率半导体激光器腔面反射率的优化 | 第56-58页 |
| ·高反射膜的制备 | 第58-60页 |
| ·增透膜的制备 | 第60-63页 |
| ·激光器腔面钝化工艺的比较 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |