| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·量子点概述 | 第9-11页 |
| ·量子点的自组织生长 | 第11-14页 |
| ·外延生长 | 第11-13页 |
| ·自组织量子点的S-K生长 | 第13-14页 |
| ·自组织Ge量子点的制备工艺 | 第14-15页 |
| ·实验室前期的研究情况 | 第15-18页 |
| ·本论文主要内容及研究意义 | 第18-20页 |
| 第二章 实验仪器与表征方法 | 第20-39页 |
| ·离子束溅射系统 | 第20-27页 |
| ·离子束溅射设备 | 第20-23页 |
| ·离子束溅射原理 | 第23-24页 |
| ·离子束溅射操作流程 | 第24-27页 |
| ·基片清洗仪简介 | 第27-33页 |
| ·去离子水制备仪器介绍 | 第28-30页 |
| ·通风设备介绍 | 第30页 |
| ·其他清洗仪器介绍 | 第30-32页 |
| ·Si片清洗 | 第32-33页 |
| ·实验样品的表征方法 | 第33-39页 |
| ·原了力显微镜(AFM) | 第33-35页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第35-39页 |
| 第三章 隔离层生长温度对离子束生长Ge/Si量子点的影响 | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-47页 |
| ·本章总结 | 第47-48页 |
| 第四章 溅射生长双层Ge/Si量子点隔离层的研究 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第五章 埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响 | 第57-72页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验 | 第58-59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-70页 |
| ·总结 | 第70-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 附录一 | 第79-80页 |
| 附录二 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |