| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·功率 MOSFET 发展现状 | 第12-20页 |
| ·槽栅隔离功率 MOSFET | 第13-14页 |
| ·异质栅型功率 MOSFET | 第14-16页 |
| ·超结功率 MOSFET | 第16页 |
| ·侧氧调制功率 MOSFET | 第16-18页 |
| ·栅增强功率 MOSFET | 第18页 |
| ·积累型功率 MOSFET | 第18-20页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 自对准内嵌肖特基结的双外延功率 VDMOSFET 研究 | 第22-34页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·器件结构参数及工艺设计 | 第22-25页 |
| ·器件结构与参数设计 | 第22-24页 |
| ·工艺流程 | 第24-25页 |
| ·仿真结果分析 | 第25-33页 |
| ·击穿电压与 IV 特性 | 第25-27页 |
| ·正向压降与阈值电压 | 第27-28页 |
| ·栅电荷与反向恢复特性 | 第28-32页 |
| ·截止频率 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 集成肖特基的分裂栅增强功率 UMOSFET 器件研究 | 第34-48页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第34-35页 |
| ·器件参数与工艺流程 | 第35-38页 |
| ·结构参数设计 | 第35-37页 |
| ·工艺流程 | 第37-38页 |
| ·仿真结果分析 | 第38-47页 |
| ·击穿电压与 IV 特性 | 第38-42页 |
| ·反向恢复特性与正向压降 | 第42-44页 |
| ·非箝位开关特性分析 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 集成肖特基的积累型栅增强功率 UMOSFET 器件研究 | 第48-60页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第48-49页 |
| ·器件参数与工艺流程 | 第49-55页 |
| ·结构参数设计 | 第49-51页 |
| ·工艺流程 | 第51-55页 |
| ·仿真结果分析 | 第55-59页 |
| ·击穿特性与 IV 特性 | 第55页 |
| ·反向恢复特性与反向漏电流 | 第55-58页 |
| ·与其他器件的优值对比 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
