| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| ·子带间跃迁的研究背景 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN 量子阱中子带间跃迁的研究概况 | 第11-12页 |
| ·课题的研究意义及论文的主要内容 | 第12-14页 |
| 2 GaN 半导体材料及 AlGaN/GaN 异质结的基本性质 | 第14-22页 |
| ·GaN 基化合物半导体的能带结构 | 第14-15页 |
| ·GaN 基化合物半导体中的极化效应 | 第15-19页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结和能带带阶 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN 量子阱中子带间跃迁的优势 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 AlGaN/GaN 量子阱中量子能级的理论计算方法和计算模型 | 第22-44页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·基于薛定谔方程的计算方法和模型 | 第23-33页 |
| ·薛定谔方程和泊松方程的自洽模型 | 第33-36页 |
| ·极化效应引起的束缚电荷和极化电场 | 第36-42页 |
| ·子带间跃迁光学吸收系数的计算 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 AlGaN/GaN 量子阱中结构参数和极化电场对电子量子性能的影响 | 第44-68页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·结构参数对单量子阱中电子跃迁性质和电子分布的影响 | 第45-54页 |
| ·结构参数对双量子阱中电子跃迁性质和电子分布的影响 | 第54-60页 |
| ·极化电场不连续对电子跃迁性质和电子分布的影响 | 第60-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 5 AlGaN/GaN 单量子阱中子带间跃迁性质的自洽研究 | 第68-80页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·势垒层中掺杂浓度对跃迁光学吸收系数和电子分布的影响 | 第68-72页 |
| ·量子阱的宽度对跃迁光学吸收系数和电子分布的影响 | 第72-75页 |
| ·势垒层中 Al 组分对跃迁光学吸收系数和电子分布的影响 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 6 总结与展望 | 第80-83页 |
| ·全文总结 | 第80-81页 |
| ·研究展望 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-91页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第91-92页 |
| 附录 2 二分法数值求解超越方程根的 Matlab 程序 | 第92-93页 |
| 附录 3 三角模型能量特征方程的推导 | 第93-99页 |
| 附录 4 耦合双量子阱特征方程的推导及各参数的表达式 | 第99-104页 |
| 附录 5 积分程序 | 第104页 |
