石墨烯薄膜制备、场效应晶体管构建及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·石墨烯的发现 | 第9-10页 |
| ·石墨烯的性质 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·石墨烯场效应晶体管的研究 | 第13-14页 |
| ·石墨烯的其他应用研究 | 第14页 |
| ·本文的研究意义及内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验设备及原理 | 第16-33页 |
| ·石墨烯制备原理及设备 | 第16-21页 |
| ·石墨烯的制备原理 | 第16-20页 |
| ·石墨烯薄膜的转移 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·石墨烯的表征原理及设备 | 第21-26页 |
| ·石墨烯的表征 | 第21-25页 |
| ·石墨烯的表征设备 | 第25-26页 |
| ·石墨烯加工工艺及设备 | 第26-31页 |
| ·MOS场效应晶体管原理 | 第26-27页 |
| ·石墨烯FET性能 | 第27-28页 |
| ·石墨烯晶体管制备工艺 | 第28-30页 |
| ·实验设备 | 第30-31页 |
| ·石墨烯器件的测试原理及设备 | 第31-33页 |
| ·四电极法测试原理 | 第31-32页 |
| ·石墨烯FET测试设备 | 第32-33页 |
| 第三章 石墨烯薄膜制备及表征 | 第33-37页 |
| ·石墨烯的制备 | 第33-34页 |
| ·石墨烯薄膜的转移 | 第34-35页 |
| ·石墨烯的表征 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 背栅石墨烯FET制备及其加工工艺研究 | 第37-49页 |
| ·背栅石墨烯FET制备 | 第37-41页 |
| ·石墨烯加工工艺的改进 | 第41-46页 |
| ·石墨烯光刻过程中问题研究 | 第41-43页 |
| ·石墨烯干刻工艺研究 | 第43-46页 |
| ·背栅石墨烯FET测试 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 石墨烯FET性能的改善研究 | 第49-62页 |
| ·改进的背栅石墨烯FET测试 | 第49-50页 |
| ·背栅石墨烯FET测试 | 第50-52页 |
| ·石墨烯薄膜的吸附与解析研究 | 第52-55页 |
| ·顶栅石墨烯FET研究 | 第55-61页 |
| ·顶栅石墨烯FET的制备 | 第55-58页 |
| ·顶栅石墨烯FET测试 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68页 |
