| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 插图索引 | 第11-13页 |
| 附表索引 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第14-19页 |
| ·自旋电子学 | 第14页 |
| ·稀磁半导体 | 第14-19页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第14-16页 |
| ·稀磁半导体的发展历程 | 第16-18页 |
| ·稀磁半导体的物理性质 | 第18-19页 |
| ·稀磁半导体的磁性产生机制 | 第19-24页 |
| ·超交换作用 | 第19-20页 |
| ·双交换作用 | 第20页 |
| ·RKKY模型 | 第20-21页 |
| ·平均场Zener模型 | 第21页 |
| ·束缚磁极化理论(BMP) | 第21-24页 |
| ·SnO_2、CeO_2与Ga_2O_3基磁性半导体的研究进展 | 第24-32页 |
| ·SnO_2基磁性半导体 | 第25-28页 |
| ·CeO_2基磁性半导体 | 第28-31页 |
| ·Ga_2O_3基磁性半导体 | 第31-32页 |
| ·本文的研究意义和内容 | 第32-34页 |
| 第2章 基本原理和计算方法 | 第34-42页 |
| ·Born-Oppenhimer近似 | 第34-35页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第35-36页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第37-39页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第39-40页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第39-40页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第40页 |
| ·VASP程序简介 | 第40-42页 |
| 第3章 N和Ag掺杂SnO_2体系的电子结构和磁性 | 第42-55页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·计算模型与计算参数 | 第43-44页 |
| ·结果分析与讨论 | 第44-54页 |
| ·缺陷形成能 | 第44页 |
| ·N掺杂SnO_2体系的电子结构和磁性 | 第44-48页 |
| ·Ag掺杂SnO_2体系的电子结构和磁性 | 第48-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 N和C掺杂CeO_2体系中的半金属铁磁性 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·计算模型与计算参数 | 第56-57页 |
| ·结果分析与讨论 | 第57-67页 |
| ·N掺杂CeO_2体系的半金属铁磁性 | 第57-62页 |
| ·C掺杂CeO_2体系的电子结构和磁耦合 | 第62-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 N和Ni掺杂Ga_2O_3体系的电子结构和磁性 | 第68-80页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·计算模型与计算参数 | 第68-70页 |
| ·N掺杂Ga_2O_3体系的结构稳定性、电子结构和磁性 | 第70-74页 |
| ·Ni掺杂Ga_2O_3体系的电子结构和磁性 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-95页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第95-96页 |
| 附录B 攻读学位期间参与科研项目 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
